Transistores bipolares de porta isolada (IGBTs)

Semicondutor dispositivos – Discretos dispositivos –

Parte 9: de porta isolada bipolares transistores(IGBTs)

Dispositivos de semicondutores – Dispositivosdiscretos –

Parte 9: Transistores bipolares de de porta isolada(IGBT)

SEMICONDUCTOR DEVICE–DISCRETE DEVICES –

Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBTs)

PREFÁCIO

1) A Comissão Eletrotécnica Internacional (IEC) é uma organização mundial de normalização que abrange todos os comitês eletrotécnicos nacionais (Comitês Nacionais IEC). O objetivo da IEC é promover a cooperação internacional em todas as questões relativas à normalização nos domínios elétrico e eletrônico. Para esse fim e, além de outras atividades, a IEC publica Normas Internacionais, Especificações Técnicas, Relatórios Técnicos, Especificações Publicamente Disponíveis (PAS) e Guias (doravante denominados Publicação(ões) IEC”). Sua elaboração é confiada a comitês técnicos; qualquer Comitê Nacional IEC interessado no assunto tratado pode participar desse trabalho preparatório. Organizações internacionais, governamentais e não governamentais em ligação com a IEC também participam dessa elaboração. A IEC colabora estreitamente com a Organização Internacional de Normalização (ISO), de acordo com as condições determinadas por acordo entre as duas organizações.

2) As decisões formais ou acordos da IEC sobre assuntos técnicos exprimem, na medida do possível, um consenso internacional de opinião sobre os temas pertinentes, uma vez que cada comitê técnico conta com representação de todos os Comitês Nacionais IEC interessados.

3) As Publicações IEC têm a forma de recomendações para uso internacional e são aceitas pelos Comitês Nacionais IEC nesse sentido. Embora sejam envidados todos os esforços razoáveis para assegurar que o conteúdo técnico das Publicações IEC esteja correto, a IEC não pode ser responsabilizada pela forma como elas são utilizadas nem por qualquer interpretação equivocada por parte de qualquer usuário final.

4) A fim de promover a uniformidade internacional, os Comitês Nacionais IEC comprometem-se a aplicar as Publicações IEC de forma transparente, na máxima extensão possível, em suas publicações nacionais e regionais. Qualquer divergência entre qualquer Publicação IEC e a correspondente publicação nacional ou regional deverá ser claramente indicada nesta última.

5) A IEC não fornece nenhum procedimento de marcação para indicar sua aprovação e não pode ser responsabilizada por qualquer equipamento declarado em conformidade com uma Publicação IEC.

6) Todos os usuários devem assegurar-se de que possuem a edição mais recente desta publicação.

7) Nenhuma responsabilidade recairá sobre a IEC ou seus diretores, empregados, funcionários ou agentes, incluindo especialistas individuais e membros de seus comitês técnicos e Comitês Nacionais IEC, por qualquer lesão pessoal, dano material ou outro dano de qualquer natureza, direto ou indireto, ou por custos (incluindo honorários advocatícios) e despesas decorrentes da publicação, uso ou اعتماد?

8) Chama-se a atenção para as referências normativas citadas nesta publicação. O uso das publicações referenciadas é indispensável para a correta aplicação desta publicação.

9) Chama-se a atenção para a possibilidade de que alguns elementos desta Publicação IEC possam ser objeto de direitos de patente. A IEC não se responsabiliza por identificar quaisquer desses direitos de patente.

A Norma Internacional IEC 60747-9 foi elaborada pelo subcomitê 47E: Dispositivos semicondutores discretos, do comitê técnico IEC 47: Dispositivos semicondutores.

Esta segunda edição da IEC 60747-9 cancela e substitui a primeira edição (1998) e sua emenda 1 (2001).

As principais alterações em relação à edição anterior estão listadas abaixo.

a) A cláusula 3 foi alterada com a inclusão de termos que deveriam constar.

b) As cláusulas 4 e 5 foram alteradas com as devidas adições e supressões que deveriam constar.

c) As cláusulas 6 e 7 da Emenda 1 foram combinadas na cláusula 6, com as devidas adições e correções que deveriam constar.

d) A Cláusula 8 da Emenda 1 foi renumerada como Cláusula 7. Esta norma deve ser lida em conjunto com a IEC 60747-1.

O texto desta norma baseia-se nos seguintes documentos:

Informações completas sobre a votação para a aprovação desta norma podem ser encontradas no relatório de votação indicado na tabela acima.

Esta publicação foi elaborada de acordo com as Diretivas ISO/IEC, Parte 2.

Uma lista de todas as partes da série IEC 600747, sob o título geral:Semiconductor devices – Discrete devicespode ser encontrada no site da IEC.

O comitê decidiu que o conteúdo desta publicação permanecerá inalterado até a data de resultado de manutenção indicada no site da IEC sob “http://webstore.iec.ch” nos dados relacionados à publicação específica. Nessa data, a publicação será

• reconfirmada,

• retirada,

• substituída por uma edição revisada, ou

• emendada.

SEMICONDUCTORDEVICES –

DISCRETEDEVICES –

Part 9: Insulated-gate bipolartransistors (IGBTs)

1 Sescopo

Esta parte da IEC 60747 fornece normas específicas de produto para terminologia, símbolos de letras, classificações e características essenciais, verificação das classificações e métodos de medição para transistores bipolares de porta isolada (IGBTs).

2 Normative references

Os documentos referenciados a seguir são indispensáveis para a aplicação deste documento. Para referências datadas, aplica-se apenas a edição citada. Para referências não datadas, aplica-se a última edição do documento referenciado (incluindo quaisquer emendas).

IEC 60747-1:2006,Semiconductor devices – Part 1:General

IEC 60747-2,Semiconductor devices – Discretedevices e integrated circuits – Part 2: Rectifierdiodes

IEC 60747-6,Semiconductor devices – Part 6:Thyristors

IEC 61340 (todas as partes),Electrostatics

3 Terms e definitions

Para os fins deste documento, aplicam-se os seguintes termos e definições.

3.1 Graphical symbol of IGBT

O símbolo gráfico mostrado abaixo é utilizado nesta edição da IEC 60747-9.

Símbolo gráfico

NOTA Somente o símbolo gráfico do IGBT de canal N é utilizado nesta norma. Ele também se aplica à medição de dispositivos de canal P. No caso de dispositivos de canal P, a polaridade deve ser adaptada.