YZPST-TYN616
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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N/P do SCR: YZPST-TYN616
Encapsulamento
TO-220C
Principal Característica Tj=25℃
Símbolo | Valor | Unidade |
IT (RMS) | 16 | A |
VDRM / VRRM | 600 | V |
IGT | 2 até 15 | mA |
Valores absolutos máximos (valores limite)
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
IT (RMS) | Corrente RMS em estado ligado (ângulo de condução de 180°) | 16 | A |
IT(AV) | Corrente média em estado ligado (ângulo de condução de 180°) | 10 | A |
ITSM | Pico de corrente de surto não repetitivo em condução Corrente (tp = 10 ms) | 160 | A |
I²t | (tp = 10 ms) | 100 | A²s |
IGM | Corrente de gate de pico (tp = 20 us) | 4 | A |
PGM | Potência de pico de gate | 5 | W |
PG(AV) | Potência média do gate | 1 | W |
Tstg Tj | Temperatura de armazenamento Temperatura de junção de operação | -40--+150 -40--+125 | ℃ |
Resistências térmicas
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
Rth (j-c) | Junção para a caixa | 1. 1 | K/W |
Rth (j-a) | Junção para o ambiente | 55 | K/W |
Características elétricasCaracterísticas elétricas (Tj=25℃ salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Condições de teste | Valor | Unidade | |||
| Mín. | Tipo | Máx. | ||||
| IGT | VD=6V,RL= 100Ω | 2 | 5 | 15 | mA | |
| VGT | VD= 12V, RL= 100Ω | ----- | 0.7 | 0.8 | V | |
| VGD | VD=VDRM, RL=3.3KΩTj=110℃ | 0.2 | ----- | ----- | V | |
| IA | IT= 100mA Gate Aberto | ----- | 30 | 40 | mA | |
| dV/dt | VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=125℃ | 400 | v/μs | |||
| ----- | ----- | |||||
| VTM | IT=24A,tp=380μs | ----- | ----- | 1.7 | V | |
| IDRM | VD=VDRM | Tj=25℃ | ----- | ----- | 10 | uA |
| Irrm | VR=VRRM | Tj=125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
Medidas do encapsulamento
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