YZPST-FD1000A
Recursos:
. Todas as Estruturas Difusas
. Alta classificação de surto
. Capacidade de bloqueio de até 2800 volts
. Recuperação Reversa Suave
. Pacote Hermético de Cêramica Resistente
. Dispositivo Montado de Pressão
Bloqueio Reverso
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Tipo de dispositivo |
V RRM (1) |
V RSM (1) |
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FD1000A50 |
2500 |
2800 |
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FD1000A56 |
2800 |
3100 |
V RRM = Tensão reversa de pico repetitiva
V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)
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Vazamento reverso de pico repetitivo |
Eu RRM
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10 mA 50 mA (3) |
Conduzindo - no estado
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Parâmetro |
Símbolo |
Min. |
Máximo. |
Typ. |
Unidades |
Condições |
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Valor médio da corrente de estado ligado |
Eu F(AV) |
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10 00 |
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A |
Sinewave,180 o condução, T c =100 o C |
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Valor eficaz da corrente de estado ligado |
Eu FRMS |
|
1570 |
|
A |
Valor nominal |
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Pico de uma onda de ciclo (não repetitivo) atual |
Eu FSM |
|
25 000
|
|
A
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10.0 msec (50Hz), onda senoidal- forma, 180 o condução, T j = 175 o C |
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Eu quadrado t |
Eu 2 t |
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2.6 x10 5 |
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A 2 s |
10 msec |
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Tensão de pico no estado ligado |
V FM |
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1.65 |
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V |
Eu FM = 2500 A; Ciclo de trabalho £ 0,01%; T j = 160 o C
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Corrente de Recuperação Reversa (4) |
Eu RM(REC) |
|
250 |
|
A |
Eu FM = 1000 A; dI F /dt = 10 A/ m s Tj = 160 oC |
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Carga de Recuperação Reversa (4) |
Q rr |
|
* |
|
m C |
|
|
Tempo de Recuperação Reversa (4) |
t RR |
|
* |
|
m s |
|
|
Parâmetro |
Símbolo |
Min. |
Máximo. |
Typ. |
Unidades |
Condições |
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Temperatura de operação |
T j |
-40 |
+1 50 |
|
o C |
|
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|
Temperatura de armazenamento |
T stg |
-40 |
+1 50 |
|
o C |
|
|
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Resistência térmica - junção ao invólucro |
R Q (j-c)
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|
0.023
|
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o C/W |
Dupla face refrigerada
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Resistência térmica - caso para dissipador |
R Q (c-s) |
|
0 .010
|
|
o C/W |
Dupla face refrigerada *
|
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Força de montagem |
P |
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24 |
|
kN |
|
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Peso |
W |
|
|
600 |
g |
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Para mais informações sobre retificador por favor, faça o download do arquivo PDF acima chamado "YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts"
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