YZPST-FD1000A
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Características:
. Estrutura totalmente difundida
Classificação de alta corrente de surto
Capacidade de bloqueio até2800volts
. Recuperação reversa suave
. Robusto encapsulamento cerâmico hermético
. Dispositivo montado por pressão
Bloqueio reverso
Tipo de dispositivo | VRRM(1) | VRSM(1) |
FD1000A50 | 2500 | 2800 |
FD1000A56 | 2800 | 3100 |
VRRM= Tensão reversa de pico repetitiva
VRSM= Tensão reversa de pico não repetitiva (2)
Corrente de fuga reversa de pico repetitiva | IRRM
| 10 mA 50 mA (3) |
Condução - estado ligado
Parâmetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condições |
Valor médio da corrente em estado de condução | IF(AV) |
| 1000 |
| A | Senoidal,180ocondução,Tc=100oC |
Valor RMS da corrente em estado ligado | IFRMS |
| 1570 |
| A | Valor nominal |
Surto de um ciclo de pico corrente (não repetitiva) |
IFSM |
| 25000
|
| A
| 10,0 ms (50 Hz), onda senoidal- forma, 180ocondução, Tj= 175oC |
I²t | I2t |
| 2.6x105 |
| A2s | 10 ms |
Tensão de pico em condução | VFM |
| 1.65 |
| V | IFM =2500A; ciclo de trabalho£0,01%; Tj= 160oC
|
Corrente de recuperação reversa (4) | IRM(REC) |
| 250 |
| A | IFM= 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms, Tj = 160 °C |
Carga de recuperação reversa (4) | Qrr |
| * |
| mC |
|
Tempo de recuperação reversa (4) | tRR |
| * |
| ms |
Parâmetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condições | |
Temperatura de operação | Tj | -40 | +150 |
| oC |
| |
Temperatura de armazenamento | Tstg | -40 | +150 |
| oC |
| |
Resistência térmica - junção para encapsulamento | RQ(j-c)
|
| 0.023
|
| oC/W | Refrigeração em ambos os lados
| |
Resistência térmica - encapsulamento para dissipador | RQ(c-s) |
| 0.010
|
| oC/W | Refrigeração dupla face *
| |
força de montagem | P |
| 24 |
| kN |
| |
Peso | W |
|
|
600 |
g | ||
Para mais informações sobreretificadorbaixe o arquivo PDF acima intitulado " YANGZHOU POSITIONING TECH CO peças de tiristores e diodos de potência "
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