Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Tensão coletor-base

VCBO

20

V

Tensão coletor-emissor

VCEO

11

V

Tensão emissor-base

VEBO

3

V

Corrente de coletor

IC

50

mA

Dissipação de potência do coletor

PC

0.2

W

Temperatura de junção

Tj

150

°C

Temperatura de armazenamento

Tstg

-55~+150

°C

Parâmetro

Símbolo

Mín.

Típ.

Máx.

Unidade

Condições

Tensão de ruptura coletor-base

BVCBO

20

-

-

V

IC=10mA

Tensão de ruptura coletor-emissor

BVCEO

11

-

-

V

IC=1mA

Tensão de ruptura emissor-base

BVEBO

3

-

-

V

IE=10mA

Corrente de corte do coletor

ICBO

-

-

0.5

mA

VCB=10V

Corrente de corte do emissor

IEBO

-

-

0.5

mA

VEB=2V

Tensão de saturação coletor-emissor

VCE(sat)

-

-

0.5

V

IC/IB=10mA/5mA

Razão de transferência de corrente CC

hFE

56

-

120

-

VCE/IC=10V/5mA

Frequência de transição

fT

1.4

3.2

-

GHz

VCE=10V, IE=-10mA, f=500MHz

Capacitância de saída

Cob

-

0.8

1.5

pF

VCB=10V, IE=0A, f=1MHz

Constante de tempo coletor-base

rbb`Cc

-

4

12

ps

VCB=10V, IC=10mA, f=31,8MHz

Fator de ruído

NF

-

3.5

-

dB

VCE=6V, IC=2mA, f=500MHz,Rg=50W