Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Tensão Coletor-Base

V CBO

20

V

Tensão Coletor-Emissor

V CEO

11

V

Tensão emissor-base

V EBO

3

V

Corrente do coletor

I C

50

mA

Dissipação de potência do coletor

P C

0.2

W

Temperatura de junção

T j

150

°C C

Temperatura de armazenamento

T stg

-55~+150

°C C

Parâmetro

Símbolo

Mín.

Típico

Máx.

Unidade

Condições

Tensão de ruptura coletor-base

BV CBO

20

-

-

V

I C =10 m A

Tensão de ruptura coletor-emissor

BV CEO

11

-

-

V

I C =1mA

Tensão de ruptura emissor-base

BV EBO

3

-

-

V

I E =10 m A

Corrente de corte do coletor

I CBO

-

-

0.5

m A

V CB =10V

Corrente de corte do emissor

I EBO

-

-

0.5

m A

V EB =2V

Tensão de saturação coletor-emissor

V CE(sat)

-

-

0.5

V

I C /I B =10mA/5mA

Razão de transferência de corrente contínua

h FE

56

-

120

-

V CE /I C =10V/5mA

Frequência de transição

f T

1.4

3.2

-

GHz

V CE =10V, I E =-10mA, f=500MHz

Capacitância de saída

Cob

-

0.8

1.5

pF

V CB =10V, I E =0A, f=1MHz

Constante de tempo coletor-base

rbb`Cc

-

4

12

ps

V CB =10V, I C =10mA, f=31.8MHz

Fator de ruído

NF

-

3.5

-

dB

V CE =6V, I C =2mA, f=500MHz,Rg=50 W