YZPST-MJD31C
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Transistores de potência NPN de silício
P/N: YZPST-MJD31C
DESCRIÇÃO:
O MJD31C é um transistor de potência NPN de silício, projetado para aplicações de comutação linear de média potência.
CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
VCBO | Tensão coletor-base | 100 | V |
VCEO | Tensão coletor-emissor | 100 | V |
VEBO | Tensão emissor-base | 5 | V |
IC | Corrente contínua do coletor | 3 | A |
ICM | Corrente de coletor - pulso | 5 | A |
IB | Corrente de base | 1 | A |
PTOT | Dissipação total a Tcase=25 °C℃ | 15 | W |
Tj | Temperatura da junção | 150 | ℃ |
Tstg | Faixa de temperatura de armazenamento | -55〜 150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TC = 25 °C, salvo indicação em contrário)
Símbolo | Parâmetro | Condição de teste | Valor | Unidade | ||
Mín. | Tipo | Máx. | ||||
ICEO | Corrente de corte do coletor | VCE= 60 V |
|
| 0.3 | mA |
IEBO | Corrente de corte do emissor | VEB= 5 V |
|
| 1 | mA |
VCEO（SUS） | Tensão de sustentação coletor-emissor | IC= 30mA | 100 |
|
| V |
VCEsat | Saturação coletor-emissor Tensão | IC=3A IB=0,375A |
|
| 1.2 | V |
VBE | Tensão de condução base-emissor | IC=3A ; VCE=4V |
|
| 1.8 | V |
hFE- 1 | Ganho de corrente CC | IC= 1A ; VCE=4V | 25 |
|
|
|
hFE-2 | Ganho de corrente CC | IC=3A ; VCE=4V | 10 |
| 50 |
|
fT | Frequência de transição | IC=0,5A ; VCE= 10V | 3 |
|
| MHz |
DADOS MECÂNICOS DO INVÓLUCRO
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
