YZPST-BD140-16
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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TRANSISTOR PNP DE SILÍCIO
YZPST-BD140-16
TO-126 BD140-16 é um transistor PNP planar epitaxial de silício; os tipos NPN complementares são o BD139-16
DESCRIÇÃO
O BD140-16 é um transistor PNP planar epitaxial de silício
em encapsulamento plástico JEDEC TO-126, projetado para
amplificadores de áudio e drivers que utilizam circuitos complementares ou quasi
complementares.
Os tipos NPN complementares são o BD139-16
VALORES NOMINAIS MÁXIMOS ABSOLUTOS ( Ta = 25 OC)
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão coletor-base | VCBO | -80 | V |
Tensão coletor-emissor | VCEO | -80 | V |
Tensão emissor-base | VEBO | -5.0 | V |
Corrente de coletor | IC | -1.5 | A |
Corrente de base | IB | -0.5 | A |
Dissipação total em | Ptot | 12.5 | W |
Temperatura máxima de operação da junção | Tj | 150 | oC |
Temperatura de armazenamento | Tstg | -55~150 | oC |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS ( Ta = 25 OC)
| Parâmetro | Símbolo | Ensaio Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
| Coletor Corte-desligado Corrente | ICBO | VCB = -80V, IE = 0 | -10 | μA | ||
| — | — | |||||
| Corrente de corte do emissorente | IEBO | |||||
| VEB = -5.0V, IC = 0 | -10 | μA | ||||
| VCEO | ||||||
| Tensão de sustentação coletor-emissoridade | IC = -1.0mA, IB = 0 | -80 | — | — | V | |
| VCE = -2.0V, IC = -0.15A | 100 | 250 | ||||
| Corrente contínua Ganho | hFE | |||||
| VCE = -2.0V, IC = -0.5A | 100 | — | — | |||
| VCE(sat) | ||||||
| Saturação coletor-emissorTensão | IC = -0.5A, IB = -0.05A | -0.5 | V | |||
| VBE | ||||||
| Tensão base-emissor | IC = -0,5 A, VCE = -2.0 V | -1 | V | |||
| fT | ||||||
| Transição Frequência | VCE = -5,0 V, IC = -50 mA | 80 | MHz |
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
