Características:
- Estrutura totalmente difusa
- Configuração de gate amplificador interdigitada
- Capacidade de bloqueio de até 2500 volts
- Tempo máximo de desligamento garantido
- Alta capacidade de dV/dt
- Dispositivo montado por pressão
IMAGEM DO PRODUTO01 / GALERIA
COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-FR1000AX50
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CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS
Bloqueio - estado desligado
Bloqueio - estado desligado
Tipo de dispositivo | VDRM (1) | VDSM (1) |
FR1000AX50 | 2500 | 2500 |
VDRM = tensão de estado desligado de pico repetitivo
Fuga de pico repetitivo em estado desligado | IDRM | 20 mA 80 mA (3) |
Taxa crítica de elevação da tensão | dV/dt (4) | 700 V/ms |
Condução - estado ligado
| Parâmetro | Símbolo | Máx. | Típ. | Unidades | Condições | |
Valor RMS da corrente em estado ligado | ITRMS | 1550 | A | Valor nominal | ||
IT(AV) |
1000
| A | Condução contínua monofásica, meia onda senoidal, condução de 180° | |||
Surto de pico de um ciclo (não repetitiva) corrente | ITSM | 14000 | A | 8,3 ms (60 Hz), forma de onda senoidal- de onda, condução de 180°, Tj = 125 °C | ||
I²t | I²t | 8,2 × 10^5 | A²s | 8,3 ms e 10,0 ms | ||
corrente reversa RNS | IR(RMS) | 630 | A | |||
Corrente reversa média | IR(AV) | 400 | A | Condução contínua monofásica, meia onda senoidal, condução de 180° | ||
Tensão de pico em condução | VTM | 2.2 | V | ITM=1000 A, Tj = 125 °C | ||
Tensão reversa de pico | VRM | 4.0 | V | IRM=1200 A, Tj = 125 °C | ||
Taxa crítica de subida da corrente em condução corrente | di/dt | 300 | A/ms | VD=1/2VDRM, ITM=800 A f=60 Hz IGM=1,5 A, diG/dt=1,0 A/µs, Tj=125℃ | ||
Taxa crítica de queda da corrente de comutação reversa | (di/dt)C | 200 | A/ms | ITM=4000 A, tw=60 µs, IRM=4000 A, dv/dt=700 V/µs, VDM=1/2 VDRN, Tj=125℃, reator saturável 7500 V·µs |
CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS (cont.)
Disparo
| Parâmetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condições |
Dissipação máxima de potência no gate | PGM | 30 | W | tp = 40 µs | ||
Dissipação média de potência no gate | PG(AV) | 8 | W | |||
Corrente de pico do gate | IGM | 10 | A | |||
Corrente de gate necessária para disparar todas as unidades | IGT | 350 | mA | VD = 6 V; RL = 2 ohms; Tj = +25 °C | ||
Tensão de gate necessária para disparar todas as unidades | VGT | 4 | V | VD = 6 V; RL = 2 ohms; Tj = 25 °C | ||
Tensão de pico não disparante | VGD | 0.2 | V | Tj = 125 °C; VD = 1/2VDRM |
Dinâmico
| Parâmetro | Símbolo | Máx. | Típ. | Unidades | Condições | |
tq | 50 | ms | ITM = 4000 A; di1/dt = -200 A/ms; di2/dt = 50 A/μs, IRM = 500 A; dV/dt = 700 V/ms VDR = 1250 V Tj = 125 °C; tw = 60 μs |
* Para o valor máximo garantido, consulte a fábrica.
CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES TÉRMICAS E MECÂNICAS
Parâmetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condições |
Temperatura de operação | Tj | -40 | +125 | °C | ||
Temperatura de armazenamento | Tstg | -40 | +150 | °C | ||
Resistência térmica da parte do tiristor – junção à aleta | RQⅠ (j-f) | 0.022 | °C/W | Resfriado em ambos os lados | ||
Resistência térmica da parte do diodo – junção à aleta | RQⅢ (j-f) | 0.070 | °C/W | Resfriado em ambos os lados | ||
Força de montagem | P | 45 | kN | |||
Peso | W | 670 | g |
* Superfícies de montagem lisas, planas e lubrificadas
CONTORNO DA CARCAÇA E DIMENSÕES.
FR1000AX50 Tiristor de condução reversa
A YZPST pode fornecer a seguinte lista equivalente de tiristores de condução reversa(Tipos cápsula)
| Tipo | IF(AV) | VRR M | IFSM @TVJM &10ms | IRRM (máx.) &Tj= TVJM | VTM(max) | trr(máx.) | Tvj | Rthjc | F±10% | |
| A | V | KA | IFM(A) | V | µs | V | °C | K/W | KN | |
SHR400R22(21) (CSR328) | 240 | 1300 | 5600 | 40 | 500 | 2.3 | 3 | 125 | 0.08 | 16 |
FR600AW (AX) | 150 | 2500 | 3500 | 50 | 1200 | 4 | 3 | 125 | 0.03 | 26 |
| FR1000BX(BW) | 400 | 2500 | 6000 | 100 | 1200 | 4 | 4 | 125 | 0.022 | 40 |
| TP909FC | 400 | 2500 | 6000 | 100 | 1000 | 2.6 | 4 | 125 | 0.02 | 33 |
| TP978FC | 400 | 2400 | 6000 | 100 | 1000 | 2.6 | 4 | 125 | 0.021 | 33 |
Para mais informações sobre o tiristor de condução reversa, faça o download do arquivo PDF acima chamado " YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts "
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