YZPST-T171-320-10
Características:
Configuração de portão de amplificação central
Encapsulamento de ligação por compressão
Capacidade de alto dV/dt
Tipo de pino, rosca polegada ou métrica
Aplicação
Comutação de potência média
Fontes de alimentação CC
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Símbolo |
Parâmetro |
Valores |
Unidades |
Condições de Teste |
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ESTADO ATIVO |
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ITAV |
Corrente média em estado ativo |
320 |
A |
Onda senoidal, condução a 180°, Tc=84°C |
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ITRMS |
Valor RMS da corrente de estado ligado |
502 |
A |
Valor nominal |
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ITSM |
Pico de surto de um ciclo
Corrente (não repetitiva)
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7 |
kA |
10.0 msec (50Hz), onda senoidal,
forma de onda, condução a 180°, Tj = 125°C
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I2t |
I quadrado t |
240 |
KA2s |
8.3 msec e 10.0 msec |
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IL |
Corrente de retenção |
700 |
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
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IH |
Corrente de retenção |
300 |
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
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VTM |
Tensão de pico no estado ligado |
1.6 |
V |
ITM = 1005 A |
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di/dt |
Taxa crítica de subida
da corrente no estado ligado
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não repetitivo |
1000 |
A/ms |
Acionamento do gate 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax, tensão do ânodo≤80% VDRM |
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repetitivo |
- |
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BLOQUEIO |
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VDRM
VRRM
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Tensão de pico repetitiva no estado desligado
Tensão reversa de pico repetitiva
|
1000 |
V |
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VDSM
VRSM
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Tensão de pico não repetitiva no estado desligado
Tensão reversa de pico não repetitiva
|
1100 |
V |
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IDRM
IRRM
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Corrente de pico repetitiva no estado desligado Corrente de pico repetitiva reversa |
70 |
mA |
Tj = 100 oC ,VRRM VDRM aplicado |
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dV/dt |
Taxa crítica de aumento de tensão |
500 |
V/ms |
TJ=TJmax, linear até 80% do VDRM nominal |
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TRIGGEING |
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PG(AV) |
Dissipação média de potência do portão |
3 |
W |
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PGM |
Dissipação de potência máxima do portão |
- |
W |
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IGM |
Corrente máxima do portão |
6 |
A |
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IGT |
Corrente de disparo do portão |
250 |
mA |
TC = 25 oC |
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VGT |
Tensão de disparo do portão |
2.5 |
V |
TC = 25 oC |
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VGD |
Tensão não disparada do portão |
0.6 |
V |
Tj = 125 oC |
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VT0 |
|
1.006 |
V |
Tj = 125 oC |
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rT |
|
0612 |
mΩ |
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SWITCHING |
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tq |
Tempo de desligamento |
125 |
ms |
ITM=320A, TJ=TJmax, di/dt=10A/μs,
VR=100V,dv/dt=50V/μs, Gate 0V 100Ω, tp=500μs
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td |
Tempo de atraso |
- |
Corrente do portão A, di/dt=40A/μs,
Vd=0.67%VDRM, TJ=25 oC
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Térmico e Mecânico
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Símbolo |
Parâmetro |
Valores |
Unidades |
Condições de Teste |
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Tj |
Temperatura de operação |
-40~125 |
oC |
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Tstg |
Temperatura de armazenamento |
-40~125 |
oC |
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R th (j-c) |
Resistência térmica - junção ao invólucro |
0.085 |
oC/W |
Operação CC, resfriado de um lado |
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R th (c-s) |
Resistência térmica - invólucro para dissipador |
- |
oC/W |
Resfriado de um lado |
|
P |
Força de montagem |
- |
Nm |
± 10 % |
|
W |
Peso |
440 |
g |
sobre |
-
ESBOÇO
YZPST pode fornecer a seguinte lista equivalente de Tiristores de Controle de Fase (Tipo Stud)
| Tipo | IT(AV) | VTM/ITM | VDRM VRRM | IDRM IRRM | IGT | VGT | dv/dt | Tjm | F | |
| A | V/A | V | mA | mA | V | V/gs | °C | |||
| KP5 | 5 | 2.2 | 15 | 300-1600 | 100 | 2.0 | 125 | |||
| KP20 | 20 | 2.2 | 60 | 300-1600 | 10 | 100 | 2.0 | 125 | 10Nm | |
| KP50 | 50 | 2.2 | 150 | 300-1600 | 15 | 100 | 2.0 | 500 | 125 | 16Nm |
| KPI 00 | 100 | 2.8 | 300 | 100-2200 | 20 | 200 | 2,5 | 500 | 125 | 33Nm |
| KP200 | 200 | 2.8 | 600 | 100-2200 | 25 | 200 | 2,5 | 500 | 125 | 4KN |
| KP300 | 300 | 2.8 | 900 | 100-2200 | 30 | 200 | 2,5 | 500 | 125 | 7KN |
| KP500 | 500 | 3,0 | 1500 | 100-2200 | 45 | 300 | 3,0 | 500 | 125 | 10KN |
