YZPST-T171-320-10

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Características:

● Configuração de gate com amplificação central
● Encapsulamento por compressão e ligação por compressão
● Alta capacidade de dV/dt
● Tipo pino, rosca em polegadas ou métrica

Aplicação

● Comutação de média potência
● Fontes de alimentação CC

Valores e características máximas

Símbolo	Parâmetro		Valores	Unidades	Condições de teste
EM CONDUÇÃO
ITAV	Corrente média em condução		320	A	Onda senoidal, condução de 180°, Tc=84°C
ITRMS	Valor RMS da corrente em estado ligado		502	A	Valor nominal
ITSM	Surto de pico de um ciclo (não repetitiva) corrente		7	kA	10,0 ms (50 Hz), onda senoidal- de onda, condução de 180°, Tj = 125 °C
I²t	I²t		240	kA²s	8,3 ms e 10,0 ms
IL	Corrente de disparo		700	mA	VD = 24 V; RL = 12 ohms
IH	Corrente de manutenção		300	mA	VD = 24 V; I = 2,5 A
VTM	Tensão de pico em condução		1.6	V	ITM = 1005 A
di/dt	Taxa crítica de aumento da corrente em condução	não repetitivo	1000	A/ms	Acionamento de gate 20 V, 20 Ω, tr≤1 μs, Tj=Tjmax, tensão de ânodo≤80% VDRM
di/dt	Taxa crítica de aumento da corrente em condução	repetitivo	-	A/ms
EM BLOQUEIO
VDRM VRRM	Tensão de pico repetitiva em estado de bloqueio Tensão de pico reversa repetitiva		1000	V
VDSM VRSM	Tensão de pico não repetitiva em estado de bloqueio Tensão de pico reversa não repetitiva		1100	V
IDRM IRRM	Corrente de pico repetitiva em estado de bloqueio Corrente de pico reversa repetitiva		70	mA	Tj = 100 °C, com VDRM VDRM aplicados
dV/dt	Taxa crítica de elevação da tensão		500	V/ms	TJ=TJmáx, linear até 80% da VDRM nominal
DISPARO
PG(AV)	Dissipação média de potência no gate		3	W
PGM	Dissipação máxima de potência no gate		-	W
IGM	Corrente de pico do gate		6	A
IGT	Corrente de disparo do gate		250	mA	TC = 25 °C
VGT	Tensão de disparo do gate		2.5	V	TC = 25 °C
VGD	Tensão de não disparo do gate		0.6	V	Tj = 125 °C
VT0			1.006	V	Tj = 125 °C
rT			0612	mΩ
COMUTAÇÃO
tq	Tempo de desligamento		125	ms	ITM=320A, TJ=TJmáx, di/dt=10A/μs, VR=100V, dv/dt=50V/μs, gate 0V 100Ω, tp=500μs
td	Tempo de atraso		-	ms	Corrente de gate A, di/dt=40A/μs, Vd=0.67%VDRM, TJ=25 °C

Térmico e Mecânico

Símbolo	Parâmetro	Valores	Unidades	Condições de teste
Tj	Temperatura de operação	-40~125	°C
Tstg	Temperatura de armazenamento	-40~125	°C
R th (j-c)	Resistência térmica - junção para encapsulamento	0.085	°C/W	Operação em corrente contínua, resfriamento de um lado
R th (c-s)	Resistência térmica - encapsulamento para dissipador	-	°C/W	Resfriamento de um lado
P	Força de montagem	-	Nm	± 10 %
W	Peso	440	g	sobre

DESENHO DIMENSIONAL

A YZPST pode fornecer a seguinte lista de equivalentes de tiristores de controle de fase (tipo pino)

Tipo	IT(AV)	VTM/ITM		VDRM VRRM	IDRM IRRM	IGT	VGT	dv/dt	Tjm	F
Tipo	A	V/A		V	mA	mA	V	V/gs	°C	F
KP5	5	2.2	15	300-1600		100	2.0		125
KP20	20	2.2	60	300-1600	10	100	2.0		125	10Nm
KP50	50	2.2	150	300-1600	15	100	2.0	500	125	16Nm
KPI 00	100	2.8	300	100-2200	20	200	2.5	500	125	33Nm
KP200	200	2.8	600	100-2200	25	200	2.5	500	125	4KN
KP300	300	2.8	900	100-2200	30	200	2.5	500	125	7KN
KP500	500	3.0	1500	100-2200	45	300	3.0	500	125	10KN

Para mais informações sobre o tiristor de controle de fase, faça o download do arquivo PDF acima intitulado "YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts"

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