YZPST-KP4350A1600V

Tipo de dispositivo

VRRM(1)

VDRM (1)

VRSM(1)

KP4350A

1600

1600

1700

Corrente de fuga de pico reversa repetitiva e fuga em estado de bloqueio

I_{RRM /}I_DRM

450 mA (3)

Taxa crítica de elevação da tensão

dV/dt (4)

300 V/ms

Parâmetro

Símbolo

Mín.

Máx.

Típ.

Unidades

Condições

Valor médio da corrente em estado de condução

I_T(AV)

4350

A

Senoidal,180^ocondução, T_S=70^oC

Pico de corrente de surto de um único ciclo

corrente (não repetitiva)

I_TSM

48900

A

10,0 ms (50 Hz), onda senoidal-

forma, 180^ocondução, T_j = 125 ^oC

I²t

I²t

11.9x10⁶

A²s

10,0 ms

Corrente de travamento

I_L

1000

mA

V_D = 12V; R_L= 12 ohms

Corrente de manutenção

I_A

450

mA

V_{D =} 12V; I = 2,5 A

Tensão de pico em condução

V_TM

1.5

V

I_TM = 6000 A; ciclo de trabalho£ 0,01%

T_j = 25 ^oC

Taxa crítica de subida da

corrente (5)

di/dt

200

A/ms

Comutação de V_DRM £1000 V,

não repetitivo

Parâmetro

Símbolo

Mín.

Máx.

Típ.

Unidades

Condições

Dissipação máxima de potência no gate

P_GM

200

W

t_p= 40 us

Dissipação média de potência da gate

P_G(AV)

5

W

Corrente de pico de gate

I_GM

15

A

Corrente de gate necessária para disparar todas as unidades

I_GT

30

300

200

125

mA

mA

mA

V_D = 12V;R_L = 6ohms;T_j= -40^oC

V_D = 12V;R_L = 6ohms;T_j= +25^oC

V_D = 12V;R_L = 6ohms;T_j= +125^oC

Tensão de gate necessária para disparar todas as unidades

V_GT

0.30

5

3

V

V

V

V_D = 12V;R_L = 6ohms;T_j= -40^oC

V_D = 12V;R_L = 6ohms;T_j= 0-125^oC

V_D= V nominal_DRM; R_L= 1000 ohms;

T_j= + 125^oC

Tensão negativa de pico

V_GRM

15

V

Parâmetro

Símbolo

Mín.

Máx.

Típ.

Unidades

Condições

Tempo de atraso

t_d

3.0

2.5

ms

I_TM = 50 A; V_D = 1500 V

Pulso de gate: V_G = 20 V; R_G = 20 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms

Tempo de desligamento (com V_R = -50 V)

t_q

400

ms

I_TM = 250 A; di/dt = 25 A/ms;

V_R ³ -50 V; dV/dt reaplicado = 30 V/ms linear até 67% V_DRM; V_G = 0;

T_j = 125 ^oC; ciclo de trabalho³ 0,01%

Carga de recuperação reversaharge

Q_rr

A

I_TM 500 A; di/dt = 5 A/ms;

V_R ³ -50 V, T_j = 25 ^oC;