YZPST-G900WB120B6TC
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Módulo IGBT de 1200 V 900 A
P/N: YZPST-G900WB120B6TC
PRODUTO CARACTERÍSTICAS
CHIP IGBT (Trench+FS)
Baixa tensão de saturação e coeficiente de temperatura positivo
Comutação rápida e curta corrente de cauda
Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave
Sensor de temperatura incluído
APLICAÇÕES
Controle de motor CA
Controle de movimento/servo
Inversores e fontes de alimentação
Fotovoltaica/célula de combustível
IGBT - CONDIÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS(TC =25°C salvo indicação especificado)
| Símbolo | Parâmetro/Condições de teste | Valores | Unidade | |
| VCES | Tensão coletor-emissor | TJ=25℃ | 1200 | V |
| VGES | Tensão gate-emissor | ±20 | ||
| IC | Corrente contínua de coletor | TC=25℃, TJmáx =175℃ | 880 | |
| TC=95℃, TJmáx =175℃ | 900 | A | ||
| ICM | Corrente de coletor de pico repetitiva | tp=1ms | 1200 | |
| Ptot | Dissipação de potência por IGBT | TC=25℃, TJmáx =175℃ | 3125 | W |
Diodo - CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TC =25°C salvo indicação especificado)
| Símbolo | Parâmetro/Condições de teste | Valores | Unidade | |
| VRRM | Tensão reversa repetitiva | TJ=25℃ | 1200 | V |
| IF(AV) | Corrente direta média | 900 | A | |
| IFRM | Corrente direta de pico repetitiva | tp=1ms | 1200 | |
| I²t | TJ =150℃, t=10ms, VR=0V | 45 | kA2s | |
Inversor IGBT
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS(TC =25°C salvo indicação especificado)
| Símbolo | Parâmetro/Condições de teste | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | ||
| VGE(th) | Tensão limiar entre porta e emissor | VCE=VGE , IC=24mA | 5 | 5.8 | 6.5 | ||
| Coletor-emissor | IC=900A, VGE=15V, TJ=25℃ | 1.9 | 2.3 | ||||
| VCE(sat) | Tensão de saturação | IC=900A, VGE=15V, TJ=125℃ | 2.2 | V | |||
| IC=900A, VGE=15V, TJ=150℃ | 2.25 | ||||||
| ICES | Corrente de fuga do coletor | VCE=1200V, VGE=0V, TJ=25℃ | 1 | mA | |||
| VCE=1200V, VGE=0V, TJ=150℃ | 10 | ||||||
| IGES | Corrente de fuga da porta | VCE=0V, VGE=±20V, TJ=25℃ | -400 | 400 | nA | ||
| RGint | Resistor de porta integrado | 0.7 | Ω | ||||
| Qg | Carga de porta | VCE=900V, IC=900A, VGE=15V | 3.1 | µC | |||
| Cies | Capacitância de entrada | VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz | 43.2 | nF | |||
| Cres | Capacitância de transferência reversa | 2.07 | nF | ||||
| td(on) | Tempo de atraso de acionamento | VCC=600V, IC=900A RG =1.5Ω , | TJ=25℃ | 100 | ns | ||
| VGE=±15V, | TJ=150℃ | 110 | ns | ||||
| tr | Tempo de subida | Carga indutiva | TJ=25℃ | 85 | ns | ||
| TJ=150℃ | 95 | ns | |||||
| td(off) | Tempo de atraso de desligamento | VCC=600V, IC=900A RG =1.5Ω , | TJ=25℃ | 530 | ns | ||
| VGE=±15V, | TJ=150℃ | 580 | ns | ||||
| tf | Tempo de descida | Carga indutiva | TJ=25℃ | 65 | ns | ||
| TJ=150℃ | 215 | ns | |||||
| TJ=25℃ | 55 | mJ | |||||
| Eon | Energia de acionamento | TJ=125℃ | 85 | mJ | |||
| VCC=600V, IC=900A RG =1.5Ω , | TJ=150℃ | 95 | mJ | ||||
| VGE=±15V, | TJ=25℃ | 45 | mJ | ||||
| Eoff | Energia de desligamento | Carga indutiva | TJ=125℃ | 58 | mJ | ||
| TJ=150℃ | 63 | mJ | |||||
| ISC | Corrente de curto-circuito | tpsc≤10µs, VGE=15V | 2200 | A | |||
| TJ=150℃, VCC=800V | |||||||
| RthJC | Resistência térmica junção-caixa (por IGBT) | 0.048 | K /W | ||||
Contorno da embalagem
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