IMAGEM DO PRODUTO01 / GALERIA
COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-RM016120T
✓Informações técnicas do produto✓Suporte à seleção com foco na aplicação✓Catálogo e consulta com base na necessidade
E-mailinfo@yzpst.net
Telefone+86 138 0527 8321
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
CENTRO DE DOCUMENTOS
Downloads e arquivos técnicos
P/N:YZPST-RM016120T MOSFET de SiC
Características
Tecnologia de banda larga MOSFET de SiC tecnologia
Baixa resistência em condução com alta tensão de bloqueio
Baixas capacitâncias com comutação de alta velocidade
Baixa recuperação reversa (Qrr)
Halogênio livre, compatível com RoHS
Benefícios
Reduzir perdas de comutação
Aumento da capacidade do sistema Frequência de comutação
Aumento densidade de potência
Redução da dissipador de calor requisitos
Aplicações
Fontes de alimentação comutada
Energia renovável
A bordo Carregador
Conversores DC/DC de alta tensão
Definições dos pinos da encapsulação
Pino1- Gate
Pino2- Drain
Pino3- Fonte de alimentação
Encapsulamento Dimensões
Nenhum conteúdo adicional do produto está disponível.
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
Siga a YZPST
