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COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-R80N65HTNF
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P/N: YZPST-R80N65HTNF
MOSFET de potência de canal N
Características
Tecnologia avançada
Excelente condução e baixa perda de comutação
Excelente estabilidade e uniformidade
Diodo antiparalelo rápido e suave
Aplicações
Conversores de indução
Fontes de alimentação ininterruptas
Principais parâmetros de desempenho
Parâmetro | Valor | Unidade |
VCES, mín. @ 25 °C | 650 | V |
Temperatura máxima da junção | 175 | °C |
IC, pulso | 320 | A |
VCE(sat), typ @ VGE=15 V | 1.35 | V |
Qg | 224 | nC |
Marcação Informações
Produto Nome | Encapsulamento | Marcação |
R8 0N65HTNF | TO247 | R80N65HTN |
Encapsulamento e Pino Informações
Informações do encapsulamento
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