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COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-RH55N30T
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P/N: YZPST-RH55N30T
Acionamento de porta em nível lógico
Tecnologia de processo avançada
Classificação dinâmica de dv/dt
Temperatura de operação de 175℃
Comutação rápida
Totalmente avaliado
Livre de chumbo
MOSFET de potência RF - 30 MHz
V DSS=55V
RDS(on)=0,035Ω
ID=30A
Absolutos Máximo Máximos
| parâmetro | Máx. | unidades | |
| ID @ Tc = 25°C | corrente contínua de dreno dreno corrente, VGS @ 10V | 30 | |
| ID @ Tc = 100°C | corrente contínua de dreno dreno corrente, VGS @ 10V | 21 | |
| A | |||
| IDM | Pulsada dreno corrente0① | 110 | |
| PD@Tc = 25°C | Potência Dissipação | 68 | w |
| Linear Redução Fator | 0.45 | por °C | |
| VGS | Gate-to-source Tensão | ±16 | V |
| EAS | único Energia de avalanche de pulso Energia ② | 110 | mJ |
| IAR | Avalanche corrente① | 16 | A |
| EAR | Repetitivo Avalanche Energia① | 6.8 | mJ |
| dv/dt | Pico Diodo Recuperação dv/dt ③ | 5 | V/ns |
| TJ | operação Junção e | -55 a + 175 | |
| armazenamento Temperatura Faixa | °C | ||
| TSTG | |||
| soldagem Temperatura, para 10 segundos | 300 (1,6 mm da carcaça) | ||
| Torque de montagem, 6-32 ou M3 sparafuso. | 10 lbf.in (1,1 N.m) |
Térmico Resistência
| parâmetro | Mín. | TÍP. | Máx. | unidades | |
| RθJc | junção-para-carcaça | 一一一Um | 一一一Um | 2.2 | ℃/W |
| RθcS | case-to-sink, Plano, Com graxa superfície | 一一一Um | 0.5 | 一一一Um | |
| RθJA | Junção-ambiente | 一一一Um | 一一一Um | 62 |
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