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COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-FQP3P50
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MOSFET FQP3P50
P/N: YZPST-FQP3P50
DESCRIÇÃO:
O FQP3P50 é um MOSFET de potência de canal P em modo de enriquecimento
MOSFET.Este MOSFET de potência é normalmente usado em fontes de alimentação comutadas de alta velocidade
em aplicações de comutação, amplificadores de áudio, controle de motores CC
e fontes de alimentação de comutação variável.
CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | |
| VDSS | Tensão dreno-fonte | -500 | V | |
| VGSS | Tensão gate-fonte | ±30 | V | |
| Tc=25℃ | -2.7 | A | ||
| ID | Corrente de dreno contínua | Tc= 100℃ | -1.71 | A |
| IDM | Corrente de dreno pulsada | -10.8 | A | |
| Ptot | Dissipação de potência (TC=25°C) | To-220C | 85 | W |
| Tj | Temperatura da junção | 150 | ℃ | |
| Tstg | Temperatura de operação e armazenamentoerature | -205 | ℃ | |
| EAS | Avalanche Energia | 250 | mJ | |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TC = 25°C, salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Condição de teste | Valor | Unidade | ||
| Mín. | Tipo | Máx. | ||||
| BVDSS | Tensão de ruptura dreno-fontetage | VGS= 0V, ID=- 250μA | -500 | V | ||
| VDS=-500V ,VGS=0V | -1 | uA | ||||
| IDSS | Corrente de fuga dreno-fonteente | VDS=-400V,VGS=0V ， | -100 | uA | ||
| Tc=125℃ | ||||||
| IGSS | Fuga entre gate e fonte Corrente | VGS= ±30V | ±100 | nA | ||
| VGS(th) | Tensão de limiar da porta | VDS= VGS,ID= - 250uA | -3 | -5 | V | |
| RDS(ON) | Estado estático ligado dreno-fonte Resistência | VGS= -10V ，ID= -1A | 5 | Ω | ||
| ∆BVDSS/ ∆TJ | Temperatura da tensão de rupturaatura Coeficiente | ID = -250 µA, | 0.42 | V/℃ | ||
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