YZPST-7N90A0 MOSFET de potência de canal N de silício 7N90A0 de comutação rápida em TO-263
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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MOSFET de potência de canal N de silício
P/N: YZPST-7N90A0
Descrição geral:
O YZPST-7N90A0 é um VDMOSFET de canal N de silício aprimorado, obtido por tecnologia planar autoalinhada, que reduz as perdas de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia de avalanche. O transistor pode ser usado em vários circuitos de comutação de potência, permitindo miniaturização do sistema e maior eficiência.O encapsulamento é TO-263, em conformidade com a norma RoHS.
Características:
Comutação rápida
Baixa carga de gate e Rdson
Baixas capacitâncias de transferência reversa
Teste de energia de avalanche de pulso único 100%
Aplicações:
Circuito de chaveamento de potência de adaptadores e carregadores.
Valores absolutos (Tc= 25℃ salvo indicação em contrário):
| Símbolo | Parâmetro | Classificação | Unidades |
| V DSS | Dreno-para- Fonte Tensão | 900 | V |
| ID | Contínua dreno Corrente | 7 | A |
| Contínua dreno Corrente TC = 100 °C | 5 | A | |
| a1 | Em pulsos dreno Corrente | 28 | A |
| IDM | |||
| VGS | Gate-Source Tensão | ±30 | V |
| a2 | Único Pulso Avalanchee Energia | 700 | mJ |
| EAS | |||
| a1 | Avalanche Energia , Repetitivove | 60 | mJ |
| EAR | |||
| a1 | Avalanche Corrente | 2.4 | A |
| IAR | |||
| dv/dt | Pico Diodo Recuperação dv/dt | 5 | V/ns |
| a3 | |||
| PD | Potência Dissipação | 160 | W |
| Redução Fator acima 25 °C | 1.28 | Com/℃ | |
| TJ ，Tstg | Operação Junção e ArmazenamentoArmazenamento | 150 ，– 55 a 150 | ℃ |
| Temperatura Faixa | |||
| TL | TemperaturaMáxima para Soldagem | 300 | ℃ |
Características Elétricascs(Tc= 25℃ salvo indicação em contrário):
| DESLIGADO Características | ||||||
| Símbolo | Parâmetro | Ensaio Condições | Classificação | Unidades | ||
| Mín. | Típ. | Máx. | ||||
| V DSS | dreno a Fonte Ruptura | VGS =0V, I D =250µA | 900 | -- | -- | V |
| Tensão | ||||||
| ΔBVDSS/ ΔTJ | Bvdss Temperatura Coeficiente | ID=250uA, Referência25℃ | -- | 0.8 | -- | V/℃ |
| VDS = 900V, VGS = 0V, | -- | -- | 1 | |||
| IDSS | dreno a Fonte Fuga Corrente | Ta = 25℃ | µ A | |||
| VDS =720V, VGS = 0V, | -- | -- | 250 | |||
| Ta = 125℃ | ||||||
| IGSS( F) | Gate para Fonte Direto Fuga | VGS = +30V | -- | -- | 10 | µ A |
| IGSS(R ) | Gate para Fonte Reverso Fuga | VGS =- 30V | -- | -- | -10 | µ A |
| LIGADO Características | ||||||
| Símbolo | Parâmetro | Ensaio Condições | Classificação | Unidades | ||
| Mín. | Típ. | Máx. | ||||
| RDS(ON) | Dreno-Fonte Ligado- Resistência | VGS =10V, I D =3.0A | -- | 1.4 | 1.8 | Ω |
| VGS(TH ) | Limiar da porta Tensão | VDS = VGS, I D = 250µA | 2.5 | -- | 4.5 | V |
| Pulso largura tp ≤380µs,δ≤2% | ||||||
| Dinâmico Características | ||||||
| Símbolo | Parâmetro | Ensaio Condições | Classificação | Unidades | ||
| Mín. | Típ. | Máx. | ||||
| gfs | Direto Transcondutânciace | VDS = 15V, I D =3A | -- | 8 | -- | S |
| Ciss | Entrada Capacitância | -- | 1460 | -- | ||
| Coss | Saída Capacitância | VGS = 0V VDS = 25 V | -- | 130 | -- | pF |
| Crss | Reverso Transferência Capacitância | f = 1.0MHz | -- | 23 | -- | |
| Resistivo Comutação Características | ||||||
| Símbolo | Parâmetro | Ensaio Condições | Classificação | Unidades | ||
| Mín. | Típ. | Máx. | ||||
| td(ON) | Ligação Tempo de atraso | -- | 22 | -- | ||
| tr | Subida Tempo | I D =7.0A V DD = 450V | -- | 45 | -- | |
| td(OFF ) | Desligamento Tempo de atraso | VGS = 10V RG = 9,1 Ω | -- | 33 | -- | ns |
| tf | Queda Tempo | -- | 37 | -- | ||
| Qg | Dissipação total Gate Carga | -- | 37 | -- | ||
| Qgs | Gate para Fonte Carga | I D =7 . 0A V DD =450V | -- | 8 | -- | nC |
| Qgd | Gate a dreno (“ Miller ”)Carga | VGS = 10V | -- | 14 | -- | |
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