YZPST-BTA40-800B TG40C80 TRIAC moldado isolado de alta capacidade de surto 400 A

Símbolo

Item

Condições

Máximos

Unidade

I_{T RMS} 

Corrente no estado ligado RMS

Tc

40

A

I_TSM

Corrente de surto em estado ligado

Um ciclo, 50 Hz/, pico, não repetitivo

400 

A

I²t

I²t

Valor para um ciclo da corrente de surto

880

A²S

P_GM 

Dissipação de potência de pico do gate

10

W

P_{G AV}

Dissipação média de potência do gate

1

W

I_GM

Corrente de pico do gate

8

A

V_GM 

Tensão de pico da gate

10

V

di/dt

Taxa crítica de elevação da corrente em estado ligado

IG=100mA, Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1A/μS

50

A/μS

Tj

Temperatura de junção de operação

-25～+125

℃

T_stg 

Temperatura de armazenamento

-40～+125

℃

V_ISO 

Tensão de ruptura de isolamento R.M.S.

C.A. 1 minuto

2500

V

Torque de montagem M4

Valor recomendado 1,0 ～1.4（10～14）

14

kgf.CM

Símbolo

Item

Máximos

Unidade

TG40C60

TG40C80

TG40C100

TG40C12

V

V_DRM 

Tensão de pico repetitiva em estado bloqueado

600

800

1000

1200

V

Símbolo

Item

Condições

Máximos

Unidade

I_DRM 

Corrente de pico repetitiva em estado bloqueado, máx.

VD=VDRM, monofásico, meia onda, Tj=125℃

5

mA

V_TM

Tensão de pico em estado ligado, máx.

Corrente em estado ligado Corrente em estado ligado √2X IT (RMS), medição instantânea

1.55

V

I _GT1 +

1

Corrente de disparo do gate, máx.

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

50

mA

I _GT1 -

2

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

50

mA

I _GT3 +

3

-

mA

I _GT3 +

4

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

50

mA

V _GT1+

1

Tensão de disparo do gate, máx.

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

3

V

V _GT1-

2

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

3

V

V _GT3+

3

-

V

V _GT3-

4

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

3

V_GD 

Tensão de gate sem disparo, mín.

Tj =25℃, VD=1/2VRRM

0.2

V

tgt

Tempo de ligação, máx.

IT=(RMS), IG=100mA, VD=1/2VDRM, Tj=25℃, dIG/dt=1A/μS

10

V

dv/dt

Taxa crítica de subida da tensão em estado ligado, mín.

Tj=25℃, VD=2/3VDRM Onda exponencial.

500

V/μS

(dv/dt) c

Taxa crítica de subida da tensão em estado desligado na comutação, mín.

Tj=25℃, VD=2/3VDRM di/dtc=15A/μS

5

V/μS

I_A

Corrente de manutenção, típica

Tj =25℃

60

mA

R_th(j-c)

Impedância térmica, máx.

Junção para a caixa

0.9

℃/W