YZPST-T1205
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS
Símbolo | Valor | Unidade |
IT(RMS) | 12 | A |
VDRMVRRM | 600 | V |
VTM | 1.55 | V |
VALORES NOMINAIS MÁXIMOS ABSOLUTOS
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Faixa de temperatura da junção de armazenamento faixa de temperatura | Tstg | -40 ~150 | ℃ |
Faixa de temperatura de junção em operação | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensão repetitiva de pico em estado de bloqueio (T=25℃) | VDRM | 600 | V |
Tensão reversa repetitiva de pico (T=25℃) | VRRM | 600 | V |
Corrente RMS em condução | IT(RMS) | 12 | A |
Corrente de pico de surto não repetitiva em condução (ciclo completo, F=50Hz) | ITSM | 120 | A |
I2Valor de t para fusão (tp=10ms) | I2t | 78 | A2S |
Taxa crítica de aumento da corrente em estado de condução (I = 2×IGT) | dI/dt | 50 | A/μS |
Corrente de pico de gate | IGM | 4 | A |
Dissipação média de potência da gate | PG(AV) | 1 | W |
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
