YZPST-M2G0080120D

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MOSFET de potência de canal N em carbeto de silício de 1200 V SiC MOSFET

Características
Encapsulamento otimizado com pino de fonte do driver separado
Alta tensão de bloqueio com baixa resistência em condução
Comutação de alta velocidade com baixas capacitâncias
Diodo intrínseco rápido com baixa recuperação reversa (Qrr)
Fácil de paralelizar
Em conformidade com RoHS
Benefícios
Maior eficiência do sistema
Reduz os requisitos de refrigeração
Maior densidade de potência
Permite maior frequência
Minimiza o ringing do gate
Redução da complexidade e do custo do sistema
Aplicações
Fontes de alimentação comutadas
Conversores CC/CC
Inversores solares
Carregadores de bateria
Acionamentos de motor
MOSFET de potência

Valores máximos(Tc = 25 °C, salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Condições de teste	Nota
f^DSmax	Tensão de ruptura dreno-fonte	1200	V	Mar=0 V, /d=100 卩A
Id	Corrente de dreno contínua	42	A	4s=20 V Tc=25 °C	Fig. 18
Pd	Dissipação de potência	208	W	*=25 °C	Fig. 19
FgS,op	Tensão recomendada entre gate e source	-0.25	V
J^Smax	Tensão máxima entre gate e source	-0.4	V	CA (f>lHz)	Nota 1
Tj, Tstg	Faixa de temperatura de junção em operação e armazenamento	-55 a	°C
Tj, Tstg	Faixa de temperatura de junção em operação e armazenamento	175	°C
7l	Temperatura de soldagem	260	°C

Características elétricas

Símbolo	Parâmetro	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condições de teste	Nota
Estático
BVds	Tensão de ruptura dreno-fonte	1200	-	-	V	4s=0 V, Zd=100 卩A
A)ss	Corrente de dreno com tensão de gate zero	—	11	100		丹s=1200 V Pgs=0 V
Igss	Fuga entre gate e fonte	—	10	250	nA	4s=20 V
FGS(th)	Tensão de limiar gate-source	2	—	4	V	Id=5 mA,	Fig. 11
&DS(on)	Resistência drain-source em condução	—	78	100	mQ	国=20 V,Zd=20 A	Fig. 6
Dinâmico
Ciss	Capacitância de entrada	—	1128		PF	4s=0 V,Razãos=1000 V	Fig. 17
C^oss	Capacitância de saída	—	86			f^l.OMHz,瓜=25 mV
Crss	Capacitância de transferência reversa	—	5
Eoss	Energia armazenada em Coss	-	44		卩J		Fig. 16
Qs	Carga total de gate	—	52		nC	moo V	Fig. 12
figs	Carga gate-fonte	-	17			血=20 A
Qgd	Carga gate-dreno	-	15			Fgs=-5/+20 V
td(cn)	Tempo de atraso de ligar	—	41		ns	丹 s=800 V
tr	Tempo de subida na ligação	-	21			Fgs=-5/+20 V
	Tempo de atraso no desligamento	—	48			Id=20A
tf	Tempo de queda no desligamento	—	16			Ro(ext)=2.5 Q
RG(int)	Resistência interna de gate	-	4		n	E.O MHz, Vac=25 mV

Características do diodo do corpo, em Tj=25°C, salvo indicação em contrário

Símbolo	Parâmetro	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condições de teste	Nota
Is	Corrente direta contínua do diodo	-	-	42	A		Nota 1
	Tensão direta do diodo	-	4	-	V	Kjs=0 V, Zs=10 A	Fig. 8,
	Tensão direta do diodo	-	4	-	V	Kjs=0 V, Zs=10 A	9,10
trr	Tempo de recuperação reversa	-	26	-	ns	1s=20 A,既)s=800 V
0r	Carga de recuperação reversa	-	163	-	nC	%s=・5 V	Nota 1
Zrrm	Corrente de recuperação reversa de pico		12		A	di/dt=2100 A/us