YZPST-BTA40
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Alta capacidade de comutação
Baixa resistência térmica com ligação por clip
Encapsulamento isolado RD91 de alta potência:
-Baixa resistência térmica com ligação por clip
-Tensão de isolamento: 2500 VRMS
| Símbolo | Valor | Unidade |
IT(RMS) | 40 | A |
| VDRM /VRRM | 1000 | V |
VTM | 1.55 | V |
VALORES NOMINAIS MÁXIMOS ABSOLUTOS
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade | |
Faixa de temperatura de junção de armazenamento | Tstg | -40-150 | °C | |
Faixa de temperatura de junção em operação | Tj | -40-125 | °C | |
Tensão de pico repetitiva em estado de bloqueio (Tj=25°C) | Vdrm | 1000 | V | |
Tensão de pico reversa repetitiva (Tj=25°C) | Vrrm | 1000 | V | |
Tensão de pico de bloqueio em estado desligado não repetitiva | Vdsm | Vdrm+100 | V | |
Tensão reversa de pico não repetitiva | Vrsm | Vrrm+100 | V | |
Corrente RMS em condução | RD91 (T =80°C) | Ele(rms) | 40 | A |
Corrente de pico de surto em condução não repetitiva (ciclo completo, F=50 Hz) | Itsm | 400 | A | |
l2Valor de t para fusão (tp=10ms) | l2t | 880 | A2s | |
Taxa crítica de elevação da corrente em estado ligado(Ig=2x|gt) | dI/dt | 50 | A/ps | |
Corrente de pico de gate | Igm | 4 | A | |
Dissipação média de potência da gate | Pg(av) | 1 | W | |
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