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COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-RD100N26C
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MOSFET de potência de canal N, 100 V, 30 mΩ
YZPST-RD100N26C
Características
Baixo RDS(ON)
Baixa carga de gate
100% testado em UIS, 100% testado em Rg
Revestimento de terminais sem chumbo
Livre de halogênios e em conformidade com RoHS
Aplicações
Gerenciamento de energia em telecom., Automação industrial, CE
Comutação de corrente em subsistemas DC/DC e AC/DC (SR)
Acionamento de motor em ferramentas elétricas, veículos elétricos e robótica
Produto Resumo
Parâmetro | Típ.. | Unidade |
VDS | 100 | V |
VGS(th) | 1.9 | V |
ID (@ VGS = 10V) (1) | 26 | A |
RDS(LIGADO) (@ VGS = 10V) | 30 | mΩ |
Absoluto Máximo Máximos (@ TA = 25°C salvo indicação especificado)
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade | |
Tensão dreno-fonte | VDS | 100 | V | |
Tensão gate-fonte | VGS | ±20 | V | |
Contínua dreno Corrente (1) | TC = 25°C | ID | 26 | A |
TC = 100°C | 16 | |||
Em pulsos dreno Corrente (2) | IDM | 70 | A | |
Corrente de avalanche (3) | IAS | 14 | A | |
Avalanche Energia (3) | EAS | 10 | mJ | |
Dissipação de potência (4) | TC = 25°C | PD | 50 | W |
TC = 100°C | 20 | |||
Temperatura de junção e de armazenamento Faixa | TJ , TSTG | -55 a 150 | °C | |
TO-263-3L Encapsulamento Informações
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