YZPST-R03N120TP
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
P/N: YZPST-R03N120TP
MOSFET planar de 1200 V n-canal
Características gerais
Em conformidade com a RoHS
RDS(ON), típ.=6Ω@VGS=10V
Baixa carga de gate minimiza a perda de comutação
Diodo de corpo de recuperação rápida
Aplicações
Adaptador
Carregador
Alimentação de standby para SMPS
Embalagem e acabamento livres de chumbo
BVDSS | RDS(ON), típ. | ID |
1200V | 6Ω | 3,0A |
Absoluto Máximo Classificações TC=25℃ salvo indicação em contrário
Símbolo | Parâmetro | R03N120TP | Unidade |
VDSS | Tensão dreno-fonte | 1200 |
V |
VGSS | Tensão gate-fonte | ±30 | |
ID | Corrente de dreno contínua Corrente | 3.0 |
A |
IDM | Corrente de dreno pulsada em VGS=10V | 12 | |
EAS | Único Avalanche por pulso Energia | 100 | mJ |
dv/dt | Pico Diodo dv/dt de recuperação[3] | 5.0 | V/ns |
PD | Dissipação de potência | 75 | W |
Redução Fator acima de 25℃ | 0.6 | Com/℃ | |
TL | Temperatura de soldagem A uma distância de 1,6 mm da carcaça por 10 segundos | 300 |
℃ |
TJ& TSTG | Faixa de temperatura de operação e armazenamentoFaixa de temperatura de operação e armazenamento | -55 a 150 |
Atenção: Tensões superiores às indicadas nas “Classificações Máximas Absolutas”Máximas Absolutas podem causar danos permanentes a ao dispositivo.
Características térmicas
Símbolo | Parâmetro | R03N120TP | Unidade |
RθJC | Térmica Resistência, Junção para caixa | 1.67 |
℃/W |
RθJA | Térmica Resistência, Junção-junção ao ambiente | 62 |
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
