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YZPST-G100HF65D1
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Módulo IGBT 650V 100A YZPST-G100HF65D1
Características:
650V100A, VCE(sat)(típ.)=1,80V
Design de baixa indutância
Menores perdas e maior energia
Tecnologia IGBT de bloqueio de campo
Excelente robustez contra curto-circuito
Aplicações gerais:
Inversor auxiliar
Aquecimento e soldagem por indução
Aplicações solares
Sistemas UPS
Valores Máximos Absolutos do IGBT
| VCES | Tensão coletor-emissor | 650 | V | |
| VGES | Tensão contínua entre gate e emissor | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | Corrente contínua do coletor | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | Corrente de coletor de pulso | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | Dissipação máxima de potência (IGBT) | TC = 25°C, | 390 | W |
| TJ = 150°C | ||||
| tsc | Tempo de suportabilidade a curto-circuito | > 10 | µs | |
| TJ | Temperatura máxima da junção do IGBT | 150 | °C | |
| TJOP | Faixa máxima de temperatura operacional da junção | -40 a +150 | °C | |
| Tstg | Faixa de temperatura de armazenamento | -40 a +125 | °C | |
Absoluto Máximo Especificações do diodo deroda livre Diodo
| VRRM | Tensão reversa de pico repetitiva — dados preliminares | 650 | V | |
| Corrente contínua direta do diodo | TC = 25°C | 200 | ||
| IF | Corrente contínua direta do diodo | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Corrente máxima direta do diodo | 200 | A | |
Características elétricas Características de IGBT em TJ = 25°C (Salvo especificação em contrário)
| Parâmetro | Condições de teste | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | ||
| BVCES | Tensão de ruptura coletor-emissor | VGE = 0V, IC = 1mA | 650 | V | |||
| ICES | Coletor-emissor | VGE = 0V, VCE = VCES | 1 | mA | |||
| Corrente de fuga | |||||||
| IGES | Corrente de fuga da porta para o emissor | VGE = ±30V, VCE = 0V | 200 | nA | |||
| VGE(th) | Tensão de limiar da porta | IC = 1mA, VCE = VGE | 4.5 | 5.5 | V | ||
| TJ = 25°C | 1.8 | 2 | |||||
| VCE(sat) | Tensão de saturação coletor-emissor (nível do módulo) | IC = 100A, VGE = 15V | TJ = 125°C | 2 | V | ||
Características de comutação do IGBT
| td(on) | Tempo de atraso na ativação | TJ = 25°C | 60 | ns | |||
| tr | Tempo de subida na ativação | TJ = 25°C | 55 | ns | |||
| td(off) | Tempo de atraso no desligamento | VCC = 400V | TJ = 25°C | 210 | ns | ||
| tf | Tempo de queda na desativação | IC = 100A | TJ = 25°C | 65 | ns | ||
| Eon | Perda de comutação na ativação | RG = 10Ω | TJ = 25°C | 1.2 | mJ | ||
| Eoff | Perda de comutação na desativação | VGE = ±15V | TJ = 25°C | 1 | mJ | ||
| Qg | Carga total de gate | Carga indutiva | TJ = 25°C | 500 | nC | ||
| Rgint | Resistor de gate integrado | f = 1M; | TJ = 25°C | 6.9 | Ω | ||
| Vpp = 1V | |||||||
| Cies | Capacitância de entrada | TJ = 25°C | 3.9 | ||||
| VCE = 25V | |||||||
| Coes | Capacitância de saída | VGE = 0V | TJ = 25°C | 0.35 | nF | ||
| Cres | Transferência reversa | f = 1MHz | TJ = 25°C | 0.25 | |||
| Capacitância | |||||||
| RθJC | Resistência térmica, junção-cápsula (IGBT) | 0.32 | °C/W | ||||
Características elétricas e de comutaçãodo diodo de roda livre Diodo
| VF | TJ = 25°C | 1.35 | |||||
| Tensão direta do diodo | IF = 100A , | V | |||||
| VGE = 0V | TJ = 125°C | 1.2 | |||||
| trr | Tempo de recuperação reversa do diodo | IF = 100A, | TJ = 25°C | 80 | ns | ||
| Irr | Corrente de pico de recuperação reversa do diodo | di/dt = 550A/µs, Vrr = 400V, | TJ = 25°C | 30 | A | ||
| Qrr | Carga de recuperação reversa do diodo | TJ = 25°C | 6.2 | uC | |||
| RθJC | Resistência térmica, junção-cápsula (diodo) | 0.75 | °C/W | ||||
Características do módulo
Parâmetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | |
Viso | Tensão de isolamento (todos os terminais em curto), f = 50Hz, 1 minuto | 2500 |
|
| V |
RθCS | Cápsula para dissipador (graxa térmica aplicada) |
| 0.1 |
| °C/W |
M | Parafuso dos terminais de potência: M5 | 3.0 |
| 5.0 | N·m |
M | Parafuso de fixação: M6 | 4.0 |
| 6.0 | N·m |
G | Peso |
| 160 |
| g |
Circuito interno:
Dimensões da embalagem
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
