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YZPST-BT151S-650R
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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P/N:YZPST-BT151S SCRS
fabricante de SCR BT151S-650R TO-252 de 650V
Encapsulamento
TO-252-2L
Característica principal (Tj=25℃)
Símbolo | Valor | Unidade |
IT(AV) | 7.5 | A |
VDRM / VRRM | ≥ 600 | V |
IGT | 3 a 6 | mA |
Valores absolutos máximos (valores limite)
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
IT (RMS) | Corrente RMS em estado ligado (ângulo de condução de 180°) | 12 | A |
IT(AV) | Corrente média em estado ligado (ângulo de condução de 180°) | 7.5 | A |
ITSM | Pico de corrente de surto não repetitivo em condução Corrente (tp = 10 ms) | 100 | A |
I²t | (tp = 10 ms) | 50 | A²s |
IGM | Corrente de gate de pico (tp = 20 us) | 2 | A |
PGM | Potência de pico de gate | 5 | W |
PG(AV) | Potência média do gate | 0.5 | W |
Tstg Tj | Temperatura de armazenamento Temperatura de junção de operação | -40--+150 -40--+125 | ℃ |
Resistências térmicas
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
Rth (j-mb) | Junção para a caixa | 2.0 | K/W |
Rth (j-a) | Junção para o ambiente | 75 | K/W |
Características elétricasCaracterísticas elétricas (Tj=25℃ salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Condições de teste | Valor | Unidade | |||
| Mín. | Tipo | Máx. | ||||
| IGT | VD=6V,RL= 100Ω | 3 | 5 | 6 | uA | |
| VGT | VD= 12V, RL= 100Ω | ----- | 0.7 | 0.8 | V | |
| VGD | VD=VDRM, RL=3.3KΩTj=110℃ | 0.2 | ----- | ----- | V | |
| IA | IT= 100mA Gate Aberto | ----- | 10 | mA | ||
| IL | IG= 1.2IGT | 20 | mA | |||
| dV/dt | VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=125℃ | 50 | 125 | v/μs | ||
| ----- | ||||||
| VTM | IT= 16A,tp=380μs | ----- | ----- | 1.6 | V | |
| IDRM | VD=VDRM | 10 | μA | |||
| 500 | μA | |||||
| VR=VRRM | Tj=25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | |
| IRRM | Tj=125℃ | ----- | ----- | 500 | μA | |
Medida do encapsulamento
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