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YZPST-Z0103MA
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Norma Triacs de 1AP/N:YZPST-Z0103MN0
Características
Corrente RMS em condução, IT(RMS) 1 A
Tensão de pico repetitiva em bloqueio, V DRM/VRRM 800 V
Corrente de disparo do gate, IGT (Q1) 3 a 25 mA
Descrição
A série Z01 é adequada para aplicações gerais de comutação em CA.Esses dispositivos são
normalmente usados em aplicações como eletrodomésticos
(eletroválvula, bomba, fecho de porta, controlo de lâmpada pequena), controladores de velocidade de ventoinhas,...
Estão disponíveis diferentes sensibilidades de corrente de gate, permitindo um desempenho otimizado quando acionados
diretamente por microcontroladores.
Tabela 1. Absoluto máxima classificaçãgs
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | ||
IT(RMS) | Corrente RMS em condução (senoide completa ) | SOT-223 | T tabela = 90 °C |
1 |
A |
TO-92 | TL = 50 °C | ||||
SMBflat-3L | T tabela = 107 °C | ||||
ITSM | Não surto repetitivo pico em condução corrente (ciclo completo, Tj eminicial = 25 °C) | F = 50 Hz | t = 20 ms | 8 | A |
F = 60 Hz | t = 16.7 ms | 8.5 | |||
I²t | I²Valor t para fusão | tp = 10 ms | 0.35 | ² A s | |
dI/dt | Taxa crítica de subida da corrente em conduçãocorrente IG = 2 x I GT, tr ≤ 100 ns | F = 120 Hz | Tj = 125 °C | 20 | A/µs |
IGM | Pico da gate corrente do coletor | tp = 20 µs | Tj = 125 °C | 1 | A |
PG(AV) | Potência média do gate dissipadaão | Tj = 125 °C | 1 | W | |
Tstg Tj | Temperatura de armazenamento da junção aixa Temperatura de junção em operação faixa | - 40 a + 150 - 40 a + 125 | °C | ||
Tabela 2. Características elétricas Características (Tj = 25 °C, salvo indicação especificado)
Símbolo |
Condições de teste |
Quadrante |
| Z01 |
Unidade | |||
03 | 07 | 09 | 10 | |||||
I GT (1) | VD = 12 V, RL = 30 Ω | I - II - III | MÁX. | 3 | 5 | 10 | 25 | mA |
IV | 5 | 7 | 10 | 25 | ||||
VGT | TODOS | MÁX. | 1.3 | V | ||||
VGD | VD = VDRM, RL = 3.3 kΩ, Tj = 125 °C |
TODOS |
MÍN. |
0.2 |
V | |||
IA (2) | IT = 50 mA | MÁX. | 7 | 10 | 10 | 25 | mA | |
IL | IG = 1.2 I GT | I - III - IV | MÁX. | 7 | 10 | 15 | 25 | mA |
II | 15 | 20 | 25 | 50 | ||||
dV/dt (2) | VD = 67% V DRMportaaberta Tj = 110 °C | MÍN. | 10 | 20 | 50 | 100 | V/µs | |
(dV/dt)c (2) | (dI/dt)c = 0,44 A/ms, Tj = 110 °C | MÍN. | 0.5 | 1 | 2 | 5 | V/µs | |
- MínimoI GT é garantido em 5% de IGT máx..
- Para ambas as polaridadesde A2 referenciado a A1.
Tabela 3. Características estáticas
| Símbolo | Condições de teste | Valor | Unidade | ||
| VTM(1) | ITM = 1,4 A, tp = 380 µs | Tj = 25 °C | MÁX. | 1.6 | V |
| V a(1) | Tensão de limiar | Tj = 125 °C | MÁX. | 0.95 | V |
| Rd (1) | Dinâmico resistência | Tj = 125 °C | MÁX. | 400 | mΩ |
| I DRM | V DRM = VRRM | Tj = 25 °C | MÁX. | 5 | µA |
| IRRM | Tj = 125 °C | 0.5 | mA | ||
- Para ambas as polaridadesde A2 referenciado a A1.
Tabela 4. Resistência térmicaes
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | |||
| Rth(j-t) | Junção ao terminal (CA) | SOT-223 | 25 | |||
| Rth(j-t) | Junção ao terminal (CA) | SMBflat-3L | 14 | |||
| Rth(j-I) | Junção a terminal (CA) | TO-92 | 60 | |||
| S(1) = 5 cm² | SOT-223 | MÁX. | 60 | °C/W | ||
| Rth(j-a) | Junção para o ambiente | SMBflat-3L | 75 | |||
| TO-92 | 150 | |||||
- S =cobre superfície sob tabela.
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
