.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-BTA26-600B
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
Downloads e arquivos técnicos
Triacs da série BTA26/BTB26 de 26A
Triac BTA26-600B TO-3PA de 3 quadrantes e alta capacidade
DESCRIÇÃO:
Com alta capacidade de suportar a carga de choque de grandes correntes, os triacs da série BTA26/BTB26 oferecem alta taxa dv/dt e forte resistência a interferências eletromagnéticas. Com alto desempenho de comutação, os produtos de 3 quadrantes são especialmente recomendados para uso em cargas indutivas. Dos três terminais ao dissipador externo, o BTA26 oferece tensão de isolamento nominal de 2500 VRMS, em conformidade com as normas UL
PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS:
símbolo | valor | unidade |
IT(RMS) | 26 | A |
VDRM/VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS:
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
faixa de temperatura de junção de armazenamento | Tstg | -40~150 | ℃ |
Faixa de temperatura de junção de operação | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensão de bloqueio de pico repetitiva em estado desligado (Tj=25℃) | VDRM | 600/800/1200/1600 | V |
Tensão reversa de pico repetitiva (Tj=25℃) | VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
Corrente RMS em condução | IT(RMS) | 26 | A |
Corrente de pico não repetitiva em surto no estado ligado (ciclo completo, F=50Hz) |
ITSM |
260 |
A |
Valor de I2t para fusão (tp=10ms) | I²t | 350 | A2s |
Taxa crítica de subida da corrente em estado ligado(IG=2× IGT) | dI/dt | 50 | A/ μs |
Corrente de pico do gate | IGM | 4 | A |
Dissipação média de potência do gate | PG(AV) | 1 | W |
Potência de pico do gate | PGM | 10 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tj=25℃ salvo especificação em contrário)
3 quadrantes：
| Parâmetro | Valor | |||||
| Condição de teste | Quadrante | CW | BW | Unidade | ||
| IGT | VD=12 V, | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33 Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | |
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MÍN | 0.2 | V | |
| IA | IT100mA | MAX | 60 | 80 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 70 | 90 | ||||
| IL | IG=1,2IGT | Ⅱ | MAX | 80 | 100 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ abertura da gate | ||||||
| dV/dt | MÍN | 1000 | 1500 | V/ µs | ||
4 quadrantes：
| Parâmetro | Valor | |||||
| Condição de teste | Quadrante | C | B | Unidade | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12 V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33 Ω | TODOS | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | TODOS | MÍN | 0.2 | V | |
| IA | IT100mA | MAX | 60 | 75 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 70 | 80 | ||||
| IL | IG=1,2IGT | Ⅱ | MAX | 90 | 100 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ abertura da gate | ||||||
| dV/dt | MÍN | 200 | 500 | V/ µs | ||
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Condição de teste | Valor | Unidade | ||
| VTM | ITM=35A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
| IDRM | Tj=25℃ | 10 | µA | ||
| IRRM | VDRM= VRRM | Tj= 125℃ | MAX | 3 | mA |
.jpg)
.jpg)
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
