transistores de potência de silício complementares 2N3055/MJ2955
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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DESCRIÇÃO
O 2N3055 é um transistor NPN planar de base epitaxial de silício montado em encapsulamento metálico JEDEC TO-3.
Destina-se a circuitos de comutação de potência, reguladores série e shunt, estágios de saída e amplificadores de alta fidelidade.
O tipo complementar PNP é o MJ2955.
ABSOLVTE MAXIMVM RATINGS ( Ta = 25 OC)
Parâmetro | l | Valor | Unidade |
Tensão coletor-base | VCBO | 100 | V |
Tensão coletor-emissor | VCEO | 60 | V |
Tensão emissor-base | VEBO | 7 | V |
Corrente de coletor | IC | 15 | A |
Corrente de base | IB | 7 | A |
Dissipação total em | Ptot | 115 | W |
Temperatura máxima de operação da junção | Tj | 150 | oC |
Temperatura de armazenamento | Tstg | 0 | oC |
ELECTRICAL CHARCATERISTICS ( Ta = 25 OC)
Parâmetro | Símbolo | Ensaio Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
Corrente de corte do coletor | ICEO | VCE=50V, IB=0 | — | — | 0.7 | mA |
Corrente de corte do emissor | IEBO | VEB=7V, IC=0 | — | — | 5.0 | mA |
Tensão de sustentação coletor-emissor | VCEO | IC=100mA, IB=0 | 60 | — | — | V |
Ganho de corrente CC | hFE(1) | VCE=4.0V, IC=4.0A | 30 | — | 70 |
|
hFE(2) | VCE=4.0V, IC10A | 15 | — |
|
| |
Tensão de saturação coletor-emissor | VCE(sat) | IC=4.0A,IB=400mA | — | — | 1.0 |
V |
IC=10A,IB=3.3A | — | — | 3.0 | |||
Tensão de condução base-emissor | VBE(on) | VCE=4V,IC=4.0A | — | — | 1.8 | V |
Produto largura de banda do ganho de corrente | fT | VCE=4,0V,IC=500mA | — | 3.0 | — | MHz |
Para mais informações sobre2N3055/MJ2955por favor, baixe o arquivo PDF acima chamado " 2N3055-MJ2955-E PST"
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