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YZPST-D100H065AT1S3
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Trench IGBT com tecnologia Field-Stop
YZPST-D100H065AT1S3
Características
650V, 100A
VCE(sat)(typ.) =1,75V@VGE=15V, IC=100A
Temperatura máxima de junção 175
Chapeamento de chumbo sem Pb; em conformidade com RoHS
Aplicações
Conversores solares
Fonte de alimentação ininterrupta
Conversores de soldagem
Conversores de frequência de comutação média a alta
Principais Desempenho e Ppacote Parâmetros
Códigos de pedido | VCE | IC | VCEsat, Tvj=25 | Tvjmax | Marcação | Encapsulamento |
D100H065AT1S3 | 650V | 100A | 1,75V | 175 ℃ | D100H65AT1 | TO247-3L |
Máximo Absoluto Máximos
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| VCES | Tensão coletor-emissor | 650 | V |
| VGES | Tensão gate-emissor | ±20 | V |
| IC | Corrente Contínua de Coletor (TC=25 ℃) | 125 | A |
| Corrente Contínua de Coletor (TC=100 ℃) | 100 | A | |
| ICM | Corrente Pulsada de Coletor (Nota 1) | 200 | A |
| Corrente Direta do Díodo (TC=25 ℃) | 125 | A | |
| IF | Corrente Direta do Díodo (TC=100 ℃) | 100 | A |
| Dissipação Máxima de Potência (TC=25 ℃) | 385 | W | |
| PD | Dissipação Máxima de Potência (TC=100 ℃) | 192 | W |
| TJ | Intervalo de Temperatura da Junção em Funcionamento | -40 a 175 | ℃ |
| TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
Características Elétricas (Tc=25, salvo indicação em contrário.)
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVCES | Coletor-Emissor | VGE=0V, IC=200uA | 650 | V | ||
| Tensão de ruptura | --- | --- | ||||
| ICES | Corrente de Fuga Coletor-Emissor | VCE=650V, VGE=0V | 1 | mA | ||
| --- | --- | |||||
| Corrente de Fuga da Grelha, Direta | VGE=20V, VCE=0V | 600 | nA | |||
| --- | --- | |||||
| IGES | Corrente de Fuga da Grelha, Inversa | VGE=-20V, VCE=0V | 600 | nA | ||
| --- | --- | |||||
| VGE(th) | Tensão de limiar da porta | VGE=VCE, IC=750uA | 4.2 | --- | 6 | V |
| VCE(sat) | Coletor-Emissor | VGE=15V, IC=100A, Tj=25 ℃ | --- | 1.75 | 2.2 | V |
| Tensão de saturação | VGE=15V, IC=100A, Tj=125 ℃ | --- | 2.05 | --- | V | |
| td(on) | Tempo de atraso na ativação | --- | 35 | --- | ns | |
| tr | Tempo de subida na ativação | VCC=400V | --- | 155 | --- | ns |
| td(off) | Tempo de atraso no desligamento | VGE=±15V | --- | 188 | --- | ns |
| tf | Tempo de Descida no Desligamento | IC=100A | --- | 69 | --- | ns |
| Eon | Perda de comutação na ativação | RG=8 | --- | 4.35 | --- | mJ |
| Eoff | Perda de Comutação no Desligamento | Carga indutiva | --- | 1.11 | --- | mJ |
| Ets | Perda Total de Comutação | TC=25 ℃ | --- | 5.46 | --- | mJ |
| Cies | Capacitância de entrada | VCE=25V | --- | 7435 | --- | pF |
| Coes | Capacitância de saída | VGE=0V | --- | 237 | --- | pF |
| Cres | Transferência reversa | f = 1MHz | 128 | pF | ||
| Capacitância | --- | --- |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
| IF=100A, Tj=25 ℃ | --- | 1.65 | 2.2 | V | ||
| VF | Tensão Direta do Díodo | IF=100A, Tj=150 ℃ | --- | 1.4 | --- | V |
| trr | Tempo de recuperação reversa do diodo | 201 | ns | |||
| VR=400V | --- | --- | ||||
| IF=100A | ||||||
| Irr | Pico reverso do diodo | dIF/dt=200A/us | 19 | A | ||
| Corrente de recuperação | TC=25 ℃ | --- | --- | |||
| Qrr | Carga de recuperação reversa do diodo | 2.45 | uC | |||
| --- | --- |
Nota 1 classificação repetitiva, largura de pulso limitada pela temperatura máxima de junção
Informações do encapsulamento
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
