YZPST-MT250A1200V
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Características
Encapsulamento padrão industrial
Base isolada eletricamente
Transferência de calor através de base metálica isolada em cerâmica de óxido de alumínio
Chip soldado em cerâmica de AL2O3 com ligação de cobre direta
Chip de tiristor com gate central
Aplicações típicas
Controle de motor CC
Soft starters para motores CA
Controle de temperatura
Controle profissional de iluminação
VDRM/VRRM | 1200/1200 | V | |
VRSM | 1300 | V |
Símbolo | Condição | Valores nominais | Unidade |
IT(AV) | sen. 180; Tc =85°C, | 250 | A |
ITSM | Tvj =25°C; 10 ms | 9500 | A |
I2t | Tvj =25°C; 8,3…10 ms | 450 | kA²s |
(di/dt)cr | 130 | A/us | |
Viso | C.A. 1 s / 1 min. | V | |
Tj | -40 ~ +125 | °C | |
Tstg | -40 ~ +125 | °C | |
W | - | g |
Símbolo | Condição | Valores nominais | Unidade |
IDRM / IRRM | Em VDRM, Tj=125°C | 85 | mA |
VT | Corrente em condução 750A, Tj=25°C | 1.43 | V |
VT(TO) | Tj=125°C | 0.81 | V |
tgd | Tj=25°C | 1 | us |
tq | Tj=125°C | 150 | us |
IGT/VGT | Tj=25°C | 145 / 2 | mA/V |
VGD | Tj=125°C | 0.25 | V |
(dv/dt)cr | Tj=125°C | 1000 | V/us |
IH | Tj=25°C, típico / máx. | 140/450 | mA |
IL | Tj=25°C, típico / máx. | 200/1800 | mA |
Rth(j-c) | Por módulo | 0.0455 | K/W |
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
