YZPST-BD139-16
TRANSISTOR DE SILÍCIO NPN P/N: YZPST-BD139-16
O transistor de silício NPN BD139-16 tem tipos PNP complementares que são os BD140-16
DESCRIÇÃO
O BD139-16 é um transistor NPN epitaxial de silício plano
em invólucro plástico TO-126 Jedec, projetado para amplificadores de áudio
e drivers que utilizam circuitos complementares ou quase
complementares.
Os tipos PNP complementares são os BD140-16
TRANSISTOR DE SILÍCIO NPN P/N: YZPST-BD139-16
O transistor de silício NPN BD139-16 tem tipos complementares PNP, que são os BD140-16
DESCRIÇÃO
O BD139-16 é um transistor NPN de silício epitaxial plano
em invólucro plástico TO-126 Jedec, projetado para áudio
amplificadores e drivers que utilizam circuitos complementares ou quase
circuitos complementares.
Os tipos complementares PNP são os BD140-16
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS ( Ta = 25 O C)
|
Parâmetro |
Símbolo |
Valor |
Unidade |
|
Tensão Coletor-Base |
VCBO |
80 |
V |
|
Tensão Coletor-Emissor |
VCEO |
80 |
V |
|
Tensão Emissor-Base |
VEBO |
5.0 |
V |
|
Corrente do Coletor |
IC |
1.5 |
A |
|
Base Atual |
IB |
0.5 |
A |
|
Dissipação Total em |
Ptot |
12.5 |
W |
|
Temperatura Máxima de Operação da Junção |
Tj |
150 |
oC |
|
Temperatura de Armazenamento |
Tstg |
-55~150 |
oC |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS ( Ta = 25 O C)
| Parâmetro | Símbolo | Condições de Teste | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
| Corrente de corte do coletor | ICBO | VCB = 80V, IE = 0 | 10 | μA | ||
| — | — | |||||
| Corrente de corte do emissor | IEBO | |||||
| VEB = 5.0V, IC = 0 | 10 | μA | ||||
| VCEO | ||||||
| Tensão de Sustentação Coletor-Emissor | IC = 1.0mA, IB = 0 | 80 | — | — | V | |
| VCE = 2.0V, IC = 0.15A | 100 | 250 | ||||
| Ganho de Corrente CC | hFE | |||||
| VCE = 2.0V, IC = 0.5A | 100 | — | — | |||
| VCE(sat) | ||||||
| Tensão de Saturação Coletor-Emissor | IC = 0.5A, IB = 0.05A | 0.5 | V | |||
| VBE | ||||||
| Tensão Base-Emissor | IC = 0.5A, VCE = 2.0V | 1 | V | |||
| fT | ||||||
| Frequência de Transição | VCE = 5V,IC = 50mA | 80 | MHz |
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