YZPST-BD139-16
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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TRANSISTOR DE SILÍCIO NPN P/N: YZPST-BD139-16
O BD139-16 transistor de silício NPN tem como complementar o tipo PNP BD140-16
DESCRIÇÃO
O BD139-16 é um transistor NPN planar de silício epitaxial
em encapsulamento plástico JEDEC TO-126, projetado para áudio
amplificadores e drivers que utilizam configuração complementar ou quasi-
complementares.
Os tipos PNP complementares são os BD140-16
CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS( Ta = 25 OC)
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão coletor-base | VCBO | 80 | V |
Tensão coletor-emissor | VCEO | 80 | V |
Tensão emissor-base | VEBO | 5.0 | V |
Corrente de coletor | IC | 1.5 | A |
Corrente de base | IB | 0.5 | A |
Dissipação total em | Ptot | 12.5 | W |
Temperatura máxima de operação da junção | Tj | 150 | oC |
Temperatura de armazenamento | Tstg | -55~150 | oC |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS( Ta = 25OC)
| Parâmetro | Símbolo | Condições de teste | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
| Corrente de corte do coletor | ICBO | VCB = 80V, IE = 0 | 10 | μA | ||
| — | — | |||||
| Corrente de corte do emissor | IEBO | |||||
| VEB = 5.0V, IC = 0 | 10 | μA | ||||
| VCEO | ||||||
| Tensão de sustentação coletor-emissor | IC = 1.0mA, IB = 0 | 80 | — | — | V | |
| VCE = 2.0V, IC = 0.15A | 100 | 250 | ||||
| Ganho de corrente CC | hFE | |||||
| VCE = 2.0V, IC = 0.5A | 100 | — | — | |||
| VCE(sat) | ||||||
| Tensão de saturação coletor-emissor | IC = 0.5A, IB = 0.05A | 0.5 | V | |||
| VBE | ||||||
| Tensão base-emissor | IC = 0.5A, VCE = 2.0V | 1 | V | |||
| fT | ||||||
| Frequência de transição | VCE = 5V,IC = 50mA | 80 | MHz |
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