YZPST-65N06 (5mm)
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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DIODOS DE SOLDAGEM DE ALTA POTÊNCIA
YZPST-65N06
Classificações máximas absolutas
| CLASSIFICAÇÕES DE TENSÃO | MÁXIMOS LIMITES | UNIDADES |
VRRM | Tensão inversa de pico repetitiva, Tj=170℃ | 600 | V |
VRSM | Tensão inversa de pico não repetitiva, Tj=170℃ | 650 | V |
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| OUTRAS CLASSIFICAÇÕES | MÁXIMOS LIMITES | UNIDADES |
IF(AVM) | Corrente média máxima direta, Tj=85℃ | 16000 | A |
IF(RMS) | Corrente nominal RMS direta, Tj=85℃ | 23247 | A |
IFSM | Surto de pico não repetitivo tp=10 ms, Tj=170℃ | 90 | kA |
I2t | I2Capacidade de fusão de tp=10 ms, Tj=170℃ | 3.8E+07 | A2s |
Tjop | Faixa de temperatura de operação | -40 a +170 | ℃ |
Tstg | Faixa de temperatura de armazenamento | -40 a +170 | ℃ |
Características
| PARÂMETRO | MÍN. | TÍP. | MÁX. | CONDIÇÕES DE TESTE | UNIDADES |
VFM | Corrente direta de pico máxima, Tj=170℃ | - | - | 0.91 | IFM=6000A | V |
V(T0) | Tensão de limiar Tj=170℃ | - | - | 0.72 |
| V |
rT | Resistência de inclinação Tj=170℃ | - | - | 0.017 |
| mΩ |
IRRM | Corrente inversa de pico | - | - | 50 | V nominalRRM, Tj=170℃ | mA |
|
| 10 | V nominalRRM, Tj=25℃ | |||
Qrr | Carga recuperada | - | - | 600 | IF=1000A, di/dt=-30A/μs Vr=100V | μC |
Irm | Corrente de recuperação reversa | - | - | - | Vr=50V, 50% Corda. | A |
trr | Tempo de recuperação reversa, 50% Corda | - | - | - | IFM=400A diR/dt = 25 A/μs | μs |
RthJK | Resistência térmica, junção para encapsulamento | - | - | 3.8 | Arrefecimento em ambos os lados | K/KW |
| - |
| Arrefecimento de um só lado | |||
F | força de montagem | 35 |
| 70 |
| kN |
Wt | Peso | - | 170 | - |
| g |
Desenho dimensional
| Tipo | IF(AV) @TC= 85°C | VRRM | IRRM (máx.) 7 &Tj= | V(TO) Tjmax | RT Tjmax | Tjmax | Rthjc | F±10% |
| Tjmax | ||||||||
| A | V | mA | V | mQ | °C | K/W | KN | |
| 6000N40 | 7100 | 200-600 | 50 | 0.7 | 0.029 | 170 | 0.01 | 28 |
A YZPST pode fornecer a seguinte lista de equivalentes de diodo sem encapsulamento
| Tipo | Símb. | A | B | C | H |
| 38DN06 | mm | 2 | 34 | 38 | 4.1 |
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
