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YZPST-S65R650
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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P/N:YZPST-S65R650
MOSFET S65R650
DESCRIÇÃO:
O S65R650 é um MOSFET Superjunction projetado para oferecer melhores características, como baixa resistência no estado ligado,
baixa carga de gate, comutação ultrarrápida e alta robustez. Esses dispositivos são muito adequados para fontes chaveadas de alta eficiência.
CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | |
VDS | Tensão dreno-fonte | 650 | V | |
VGS | Tensão gate-fonte | ±30 | V | |
ID |
Corrente de dreno contínua | Tc=25℃ | 8 | A |
Tc=100℃ | 6 | A | ||
IDM | Corrente de dreno pulsada | 30 | A | |
Ptot | Dissipação de potência (TC=25°C) | 93 | W | |
Tj | Temperatura da junção | 150 | ℃ | |
Tstg | Temperatura de operação e armazenamentoerature | -55 a +150 | ℃ | |
EAS | Avalanche Energia | 74 | mJ | |
ELÉTRICAS CARACTERÍSTICAS (TC = 25°C, salvo indicação especificado)
Símbolo | Parâmetro | Condição de teste | Valor | Unidade | ||
Mín. | Tipo | Máx. | ||||
BVDSS | Tensão de ruptura dreno-fontetage | VGS= 0V, ID= 250μA | 650 |
|
| V |
IDSS | Corrente de fuga dreno-fonteente | VDS=650V ,VGS=0V |
|
| 1 | uA |
IGSS | Fuga entre gate e fonte Corrente | VGS= ±30V |
|
| ±100 | nA |
VGS(th) | Tensão de limiar da porta | VDS= VGS, ID= 250μA | 2.5 |
| 4.5 | V |
RDS(LIGADO) | Estado estático ligado dreno-fonte Resistência | VGS= 10V ，ID= 4A |
| 503 | 650 | mΩ |
DADOS MECÂNICOS DO INVÓLUCRO
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
