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YZPST-IMW120R045M1(YZPST-RM040120T)
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
Downloads e arquivos técnicos
YZPST-IMW120R045M1(YZPST-RM040120T)\
MOSFET de SiC
Características
Comutação de alta velocidade com baixas capacitâncias
Alta tensão de bloqueio com baixo RDS(on)
Fácil de paralelizar
Fácil de acionar
Em conformidade com a RoHS
Benefícios
Maior densidade de potência
Maior frequência de operação
Redução das necessidades de dissipador de calor
Maior eficiência
EMI reduzida
Aplicações
Módulos de correção do fator de potência
Fontes de alimentação comutadas
Inversores CC-CA
Conversores CC/CC de alta tensão
Máximo classificações (Tj=25℃ salvo especificação em contrário)
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Valor | Unidade |
VDS | Tensão dreno-fonte |
| 1200 | V |
ID | Contínua Corrente de dreno | Tc=25°C Tc=100°C | 74 52 | A |
IDM | Pico Corrente de dreno | Largura de pulso tp limitada por Tjmax | 150 | A |
VGSmax | Tensão gate-fonte |
| -8/+22 | V |
VGSop | Tensão recomendada gate-fonte |
| -4/+ 18 | V |
Ptot | Potência Dissipação | Tc=25°C Tc=100°C | 312 156 | W |
Tj | Temperatura de junção de operaçãoratura |
| -40~175 | °C |
Tstg | Temperatura de armazenamento |
| -40~175 | °C |
Características elétricas
Características estáticas
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Valor | Unidade | ||
Mín.. | Típ.. | Máx.. | ||||
V(BR)DSS | Dreno-fonte Tensão de ruptura | ID=100μA, VGS=0V | 1200 |
|
| V |
IDSS | Corrente de dreno com tensão de gate zero Dreno curreente | VDS=1200V, VGS=0V |
| 1 |
| μA |
IGSS | Porta-Fonte Corrente de fuga | VDS=0V, VGS=18V |
|
| 250 | nA |
VGS(th) |
Tensão de limiar da porta | VDS=VGS, ID=10mA Tj=25°C Tj=175°C |
2 |
2.6 2.0 |
4 |
V |
RDS(on) |
Estado de condução dreno-fonte Resistência | VGS=18V, ID=40A Tj=25°C Tj=175°C |
|
37 47 |
|
mΩ |
Contornos da encapsulação
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
