YZPST-MT3-500-36-D

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YZPST-模块MT3-500-36-D-I018 (1).pdfBAIXAR ↘YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts 20200518.pdfBAIXAR ↘

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Características

· Transferência de calor através de base metálica isolada em cerâmica de nitreto de alumíniobase metálica isolada em cerâmica de nitreto

· Contatos de pressão em metal precioso para alta fiabilidade

Aplicações típicas

· Controlo de motor CC

· Controlo de temperatura

· Regulação profissional de iluminação

Valores máximos

Símbolo	Condição	Máximos	Unidade
I_T(AV)	Monofásico，meia onda，sinCondução de 180°;T_C=85°C	500	A
I_TRMS	Monofásico，meia onda，sinCondução de 180°;T_C=85°C	785	A
I_TSM	T_j=125°C	18	kA
I²t	T_j=125°C	1620	kA²S
V_DRM/V_RRM	T_j=125°C	3600/3600	V
di/dt	não repetitivo	400	A/us
V_iso	CA 1 minuto/1S	3000/3600	V
T_j		-40 ~ +125	°C
T_stg		-40 ~ +125	°C
W	About	-	Kg

Para mais informações sobre o módulo de tiristor duplo, faça o download do ficheiro PDF acima chamado "YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts"

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Símbolo	Condição	Máximos	Unidade
I_DRM /I_RRM	Em V_DRM，Monofásico，meia onda，T_j=125°C	250	mA
V_TM	Corrente em estado ligado1570A，T_j=25°C	1.85	V
V_T(TO)	T_j=125°C	1.10	V
r_T	T_j=125°C	0.40	mΩ
R_K1G1		-	Ω
R_K2G2		-	Ω
t_gd	T_j=25°C;V_D=0,4V_DRM; I_TM=I_TAV	3	us
t_q	dv_D/dt=50V/us;T_j=125°C; I_TM=I_TAV	400	us
I_GT/V_GT	T_j=25°C，I_T=1A，V_D=6V	300 / 2.5	mA/V
V_GD	V_D=67%V_DRM	0.35	V
DV/DT	V_D=67%V_DRM	1000	V/us
I_A	T_j=25°C	300	mA
I_L	T_j=25°C	1500	mA
R_th(j-c)	Resistência térmica Junção para a caixa	0.025	°C/W
R_th(_c_-_h₎	Resistência térmica case para dissipador de calor	0.008	°C/W

Para mais informações sobre o módulo de tiristor duplo, faça o download do ficheiro PDF acima chamado "YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts"

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