YZPST-FZ600R17KE4

VCES

Coletor para Emissor Voltagem

1700

V

VGES

Tensão contínua de gate para Emissor Voltidade

±30

V

IC

Corrente contínua do coletor

TC = 25°C

1200

A

TC = 100°C

600

ICM

Corrente de coletor de pulso

TJ= 150°C

1200

A

PD

Máximo Potência Dissipação (IGBT)

TC = 25°C, TJ= 150°C

2660

W

tsc

Tempo de suportabilidade a curto-circuito

> 10

µs

TJ

Máximo Temperatura da junção do IGBT

150

°C

TJOP

Temperatura máxima de operação da junçãoture Faixa

-40 a +150

°C

Tstg

Temperatura de armazenamento Faixa

-40 a +125

°C

VRRM

Repetitivo Tensão reversa de pico Dadospreliminares

1700

V

IF

Corrente contínua do diodo Corrente direta

TC = 25°C

1200

A

TC = 100°C

600

IFM

Diodo Máximo Corrente direta

1200

A

Parâmetro

Condições de teste

Mín.

Típ.

Máx.

Unidade

BVCES

Coletor para Ruptura emissorTensão

VGE = 0V, IC = 1 mA

1700

V

ICES

Coletor para Emissor Corrente de fuga

VGE = 0 V, VCE= VCES

5

mA

IGES

Gate para Corrente de fuga do emissor Corrente

VGE = ±30 V, VCE   = 0 V

400

nA

VGE(th)

Tensão de limiar do gatege

IC = 1 mA, VCE= VGE

4.5

5.7

V

VCE(sat)

Coletor  a  Emissor  Saturação Tensão (módulo Nível)

IC = 600 A, VGE  = 15 V

TJ= 25°C

3.00

3.20

V

TJ= 125°C

3.60