.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
YZPST-2SA1930
Transistor PNP de silício em um pacote plástico TO-220F.
Características
Alto fT, par complementar com 2SC5171.
Transistor PNP de silício TO-220F 2SA1930 Alto fT par complementar com 2SC5171
Transistor PNP de silício em um pacote plástico TO-220F. P/N: YZPST-2SA1930
Transistor PNP de silício em um pacote plástico TO-220F.
Características
Alto fT, par complementar com 2SC5171.
Transistor PNP de silício TO-220F 2SA1930 Alto fT par complementar com 2SC5171
Absoluto Máximo Rati ngs(Ta=25 °C )
|
Parâmetro |
Símbolo |
Classificação |
Unidade |
|
Tensão Coletor-Base |
VCBO |
-180 |
V |
|
Tensão Coletor-Emissor |
VCEO |
-180 |
V |
|
Tensão Emissor-Base |
VEBO |
-5.0 |
V |
|
Corrente do Coletor - Contínua |
IC |
-2.0 |
A |
|
Corrente de Base |
IB |
-1.0 |
A |
|
Dissipação de Energia do Coletor |
PC |
2.0 |
W |
|
Dissipação de Energia do Coletor |
PC(Tc=25℃) |
20 |
W |
|
Temperatura da Junção |
Tj |
150 |
°C |
|
Faixa de Temperatura de Armazenamento |
Tstg |
-55~150 |
°C |
Características Elétricas (Ta=25 °C )
|
Parâmetro |
Símbolo |
Condições de Teste |
Mín |
Typ |
Máx |
Unidade |
|
Tensão de Ruptura Coletor-Emissor Coleção |
VCEO |
IC=-10mA IB=0 |
-180 |
|
|
V |
|
Corrente de Corte do Coletor |
ICBO |
VCB=-180V IE=0 |
|
|
-5.0 |
μA |
|
Corrente de Corte do Emissor |
IEBO |
VEB=-5.0V IC=0 |
|
|
-5.0 |
μA |
|
Ganho de Corrente Contínua |
hFE(1) |
VCE=-5.0V IC=-100mA |
100 |
|
320 |
|
|
hFE(2) |
VCE=-5.0V IC=-1.0A |
50 |
|
|
|
|
|
Tensão de Saturação Coletor-Emissor |
VCE(sat) |
IC=-1.0A IB=-100mA |
|
-0.24 |
-1.0 |
V |
|
Tensão Base-Emissor |
VBE |
VCE=-5.0V IC=-1.0A |
|
-0.68 |
-1.5 |
V |
|
Frequência de Transição |
fT |
VCE=-5.0V IC=-300mA |
|
200 |
|
MHz |
|
Capacitância de Saída do Coletor |
Cob |
VCB=-10V IE=0 f=1.0MHz |
|
26 |
|
pF |
Pacote Dimensões
Produtos Relacionados
