.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-2SA1930
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
Downloads e arquivos técnicos
Transistor PNP de silício em encapsulamento plástico TO-220F. P/N:YZPST-2SA1930
Transistor PNP de silício em encapsulamento plástico TO-220F.
Características
Alta fT, par complementar com 2SC5171.
TO-220F 2SA1930 transistor PNP de silício Alta fT par complementar com 2SC5171
Absoluto Máximo Classificações(Ta=25℃)
Parâmetro | Símbolo | Classificação | Unidade |
Tensão coletor-base | VCBO | -180 | V |
Tensão coletor-emissor | VCEO | -180 | V |
Tensão emissor-base | VEBO | -5.0 | V |
Corrente de coletor - contínua | IC | -2.0 | A |
Corrente de base | IB | -1.0 | A |
Dissipação de potência do coletor | PC | 2.0 | W |
Dissipação de potência do coletor | PC(Tc=25℃) | 20 | W |
Temperatura da junção | Tj | 150 | ℃ |
Faixa de temperatura de armazenamento | Tstg | -55～150 | ℃ |
Características elétricas(Ta=25℃)
Parâmetro | Símbolo | Condições de teste | Mín | Tip | Máx | Unidade |
Ruptura coletor-emissor Tensão | VCEO | IC=-10mA IB=0 | -180 |
|
| V |
Corrente de corte do coletor | ICBO | VCB=-180V IE=0 |
|
| -5.0 | μA |
Corrente de corte do emissor | IEBO | VEB=-5.0V IC=0 |
|
| -5.0 | μA |
Ganho de corrente CC | hFE(1) | VCE=-5.0V IC=-100mA | 100 |
| 320 |
|
hFE(2) | VCE=-5.0V IC=-1.0A | 50 |
|
|
| |
Tensão de saturação coletor-emissor | VCE(sat) | IC=-1.0A IB=-100mA |
| -0.24 | -1.0 | V |
Tensão base-emissor | VBE | VCE=-5.0V IC=-1.0A |
| -0.68 | -1.5 | V |
Frequência de transição | fT | VCE=-5.0V IC=-300mA |
| 200 |
| MHz |
Capacitância de saída do coletor | Cob | VCB=-10V IE=0 f=1.0MHz |
| 26 |
| pF |
Encapsulamento Dimensões
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
