YZPST-KP Series-KP55

Símbolo

Características

Condições

Temperatura

Valor

1

VDRM

Tensão de estado bloqueado de pico repetitiva

-30°C£ Tj £125°C

1600

2

VDSM

Tensão de estado bloqueado de pico não repetitiva

-30°C£ Tj £125°C

1700

3

VRRM

Tensão inversa de pico repetitiva

-30°C£ Tj £125°C

1600

4

VRSM

Tensão inversa de pico não repetitiva

-30°C£ Tj £125°C

1700

5

IDRM

Corrente repetitiva de pico no estado de bloqueio

V=VDRM

Tj = 125°C

≤ 70 mA

6

IRRM

Corrente reversa de pico repetitivo

V=VRRM

Tj = 125°C

≤ 70 mA

7

ITSM

Corrente de surto de pico (não repetitiva)

Onda senoidal, 10 ms sem tensão reversa

Tj = 125°C

36,0 kA

8

VTO

Tensão de limiar

Tj = 125°C

0,82 V

9

Rt

Resistência de inclinação no estado de condução

Tj = 125°C

0,180 mohm

10

VT

Tensão em condução

IT = 2500 A

Tj = 125°C

≤ 1,45 V

11

VT

Tensão em condução

IT = 3500 A

Tj = 125°C

≤ 1,65 V

12

DI/DT

Taxa crítica de aumento da corrente no estado de condução, mín.

Tj = 125°C

200 A/μs

13

DV/DT

Taxa crítica de aumento da tensão no estado de bloqueio, mín.

Tj = 125°C

500 V/μs

14

IH

Corrente de manutenção, típica

Tj = 25°C

≤ 300 mA

15

IL

Corrente de travamento, típica

Tj = 25°C

≤ 700 m A

16

VGT

Tensão de disparo do gate

VD= 5V;

Tj = 25°C

≤ 3.0 V

17

IGT

Corrente de disparo do gate

VD= 5V;

Tj = 25°C

≤ 200 m A

18

VGD

Tensão de gate de não disparo, mín.

VD= VDRM

Tj = 125°C

≥ 0.25 V

19

PGM

Dissipação de potência de pico no gate

Tj = 25°C

150W

20

VFGM

Tensão de pico do gate (direta)

Tj = 25°C

30V

21

IFGM

Corrente de pico do gate

Tj = 25°C

10 A

22

VRGM

Tensão de pico do gate (reversa)

Tj = 25°C

5V

Ф A

Diâmetro do chip

55 mm

Ф B

45~46 mm

Ф C

Área interna de contato do emissor = arruela de molibdênio interna

8,5~8,6 mm

D

Espessura do chip

2,4~2,7 mm

E

Espessura máxima da borracha de revestimento da junção

0,2~0,4 mm