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COMPONENTE DE POTÊNCIA

YZPST-HVP12

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Nº	Item	Símbolo	Unidade	Classificação	Condições
1	Tensão reversa de pico repetitiva	VRRM	kV	16
2	Corrente média direta	IF (AV)	mA	750	Tamb=60 °C Onda senoidal semiciclo de 50 Hz Valor médio de retificação
3	Corrente de surto direta	IFSM	A	50	Tamb=25 °C Onda senoidal semiciclo de 50 Hz, pulso único
4	Corrente de surto reversa	IRSM	μA	5	Largura de pulso de 1 ms, pulso único em onda triangular
5	Temperatura máxima da junção	Tjmax	°C	120
6	Temperatura de armazenamento	Tstg	°C	-40~+120

Nº

Item

Símbolo

Unidade

Classificação

Condições de teste

Queda de tensão direta

VFM

IF(AV)=750mA

Corrente reversa em temperatura normal

IRM1

μA

VRM=16KV

Corrente reversa em alta temperatura

IRM2

μA

Tamb=100oC

VRM=16KV

Tensão de ruptura reversa

IR=750mA

Tempo de recuperação reversa

trr

IF=IR=200mA, 90%

(Tamb=25 oC, salvo especificação em contrário

Aplicação

Equipamento industrial de secagem por micro-ondas, alimentação de alta frequência, fonte de alimentação para máquina de selagem térmica de alta frequência por ultrassom, retificador de alimentação para outros dispositivos eletrónicos.

A YZPST pode fornecer a seguinte lista de equivalentes de diodos de alta tensão.

Diodos de alta tensão

2CLG 100mA 10KV

2CLG 100mA 20KV

2CLG 100mA 15KV

2CL 500mA 12KV

2CL104 (350mA 12KV)

2CL106 (500mA 12KV)

HV600S10 (600mA 10KV)

HV600S12 (500mA 12KV)

Diodo de alta frequência e alta tensão

2CL G 20mA 20KV 80ns

04D, 04Z (10mA 4000V, 80ns)

08D,08X, 08Z (10mA 8000V, 80ns)

PST-12 (10mA 12000V, 80ns)

PST-14 (10mA 12000V, 80ns)

PST-16 (10mA 12000V, 80ns)

HV37-08 (200mA 8KV 80ns)

HV37-08F (200mA 8KV 70ns)

HV37-10 (200mA 10KV 80ns)

HV37-20 (200mA 20KV 80ns)

HV37-20F (200mA 20KV 70ns)

CL03-10F (300mA 10KV 80ns)

FOB (450mA 8KV 40ns)

FOB-12 (450mA 12KV 40ns)

Pilha de silício de alta tensão

(20mA-10A, 30KV-500KV)

Para mais informações sobre o díodo de alta tensão, faça o download do ficheiro PDF acima intitulado "YZPST HIGH VOLTAGE DIODE IN PLASTIC PACKAGE PST"

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