YZPST-6H60CX1G3
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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IGBT com tecnologia Trench Field-Stop
YZPST-6H60CX1G3
Características
600V, 6A
VCE(sat)(typ.) =1.75V@VGE=15V, IC=6A
Baixa Qg
Temperatura máxima da junção 175℃
Metalização dos terminais sem chumbo; em conformidade com RoHS
Aplicações
Conversores solares
Fonte de alimentação ininterrupta
Conversores de soldagem
Conversores de frequência de comutação de médio a alto porte
Principais parâmetros de desempenho e encapsulamento
Códigos de pedido | VCE | IC | VCEsat, Tvj=25℃ | Tvjmax | Marcação | Encapsulamento |
60H060CX1R3 | 650V | 6A | 1,75V | 175℃ | 6H60CX1R3 | TO263-2L |
60H060CX1G3 | 650V | 6A | 1,75V | 175℃ | 6H60CX1G3 | TO252-2L |
Classificações máximas absolutas
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
VCES | Tensão coletor-emissor | 600 | V |
VGES | Tensão gate-emissor | ±20 | V |
IC | Corrente contínua de coletor (TC=25℃) | 12 | A |
Corrente contínua de coletor (TC100℃) | 6 | A | |
ICM | Corrente de coletor pulsada (Nota 1) | 18 | A |
PD | Dissipação máxima de potência (TC=25℃) | 89 | W |
Dissipação máxima de potência (TC100℃) | 44 | W | |
TJ | Faixa de temperatura de operação da junção | -40 a 175 | ℃ |
TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
