.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-CL08-12T
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
Downloads e arquivos técnicos
Diodo de alta tensão do CL08-12
- 1. Especificação principal
No. | Eleem | Symbol | Vnit | Rating | Conditions |
1 | Tensão reversa de pico repetitivo | VRRM | KV | 12 |
|
2 | Corrente média direta | IF (AV) | mA | 350 | Tamb=60 ℃ Onda senoidal de meia onda a 50 Hz Valor médio de retificação |
3 | Corrente de surto direta | IFSM | A | 15 | Tamb=25 ℃ Onda senoidal de meia onda a 50 Hz, impulso único |
4 | Corrente de surto reversa | IRSM | A | 0.2 | Pulso único de onda triangular com largura de 1 ms |
5 | Temperatura máxima da junção = | Tjmax | ℃ | 130 |
|
6 | Temperatura de armazenamento | Tstg | ℃ | -40~+130 |
2. Especificação elétrica
No. | Eleem | Symbol | Vnit | Rating | Test conditions |
1 | Queda de tensão direta | VFM | V | 18.5 máx. | IF(AV)=350 mA |
2 | Corrente reversa a temperatura normal | IRM1 | A | 5 máx. | VRM=12KV |
3 | Corrente reversa a alta temperatura | IRM2 | A | 50 máx. | Tamb=100℃ VRM=12KV |
4 | Tensão de ruptura reversa | VZ | KV | 12~18 | IR=100uA |
5 | Tempo de recuperação reversa | trr | nS | 80 máx. | IF=IR=100mA, 90% |
(Tamb=25 oC, salvo indicação em contrário)
- Aplicação
Para retificação de alta tensão em fornos de micro-ondas;
Outros campos de retificação eletrônica
4. Dimensões (em mm)
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
