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COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-SK70KQ12
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YZPST-SK70KQ12
CARACTERÍSTICAS DO PRODUTO
Design compacto
Montagem com um único parafuso
Transferência de calor e isolamento por meio de DBC
chips de tiristor com passivação de vidro
Baixa corrente de fuga
APLICAÇÕES
Partidores suaves
Controle de temperatura
Controle de iluminação
ABSOLUTOS MÁXIMOS VALORES(T C =25°C salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Valores | Unidade |
| VRRM | Tensão repetitiva máxima de bloqueioversa | Tvj=125℃ | 1200 | V |
| VDRM | Máximarepetitivo tensão de pico em estado de bloqueio | |||
| VRSM | Não-Repetitivo Tensão reversa | Tvj=125℃ | V | |
| VDSM | Não repetitivo tensão de pico em estado de bloqueio | 1300 | ||
| IRRM | Máxima repetitiva Corrente reversa | Tvj=125℃ | 5 | mA |
| IDRM | Máximarepetitivo corrente de pico no estado desligado | |||
| IT(AV) | Corrente média no estado ligado Corrente | TC=85℃ | 55 | |
| IT(RMS) | RMS Corrente | TC=85℃, sen180。 | 80 | A |
| ITSM | Não Surto repetitivo Corrente de pico no estado ligado | 10 ms, Tj=25℃ | 1100 | |
| I2t | Para Fusão | 10 ms, Tj=25℃ | 6050 | A2S |
| VTM | Tensão de pico em condução | ITM=150A | 1.7 | V |
| dv/dt | taxa crítica de elevação do estado bloqueado tensão | VD=2/3VDRM T de abertura do gatej=125℃ | 1000 | V/us |
| IGT | corrente de disparo de gate largura de pulso | 80 | mA | |
| VGT | tensão de disparo do gate largura de pulso | 1.5 | V | |
| IA | corrente de disparo de gate | 200 | mA | |
| IL | corrente de travamento | 500 | mA | |
| Viso | CA 50 Hz RMS 1 min | 2500 | V | |
| TJ | Temperatura da junção | -40 a +125 | ℃ | |
| TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -40 a +125 | ||
| RthJC | Resistência térmica junção-caixa Resistência (por tiristor chip) | 0.7 | ℃ /W | |
| Torque | força de montagem, Módulo para dissipador | 2.5 | Nm | |
| Tsolda | terminais, 10 s | 260 | ℃ | |
Dimensões
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