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YZPST-P150HFN120AT1R6
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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P/N:YZPST-P150HFN120AT1R6
Módulo de 62 mm com Trench/Fieldstop rápido IGBT e Rápido Recuperação Diodo
Características
■ Baixas perdas de comutação
■ Baixo VcEsal
■ Baixo VcE(satcom coeficiente de temperatura positivo
Aplicações
■ Acionamentos de motores
Sistemas UPS
■ Inversor de alta potência
Esquema do circuito equivalente
Inversor IGBT
Valores nominais máximos
Símbolo | Descrição | Condições | Valores | Unidade |
VcEs | Tensão coletor-emissor | Tv=25℃ | 1200 | V |
VGEs | Tensão de pico porta-emissor | Tj=25℃ | ±20 | V |
lc | Corrente contínua de coletor em CC | Tc=100℃ | 150 | A |
CRM | Corrente de pico repetitiva do coletor | tp=1ms | 300 | A |
Ptot | Dissipação total de potência | Tc=25℃,Tyjmax=175℃ | 1500 | W |
Valores característicos
| Símbolo | Valores | |||||
| Descrição | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | |
| VcE(sat | Tensão de saturação coletor-emissor | VcE=15V,Ic=150A,Tv=25℃ | 2.2 | V | ||
| Vge=15V,Ic=150A,Tv=125℃ | 2.5 | V | ||||
| VgE(th | Tensão de limiar da porta | VgE=VcE,Ic=3.8mA | 5 | 5.8 | 6.5 | V |
| IcEs | Corte coletor-emissor Corrente | VcE=1200V,VgE=0V | mA | |||
| GES | Corrente de fuga gate-emissor Corrente | VcE=20V,VcE=0V | 600 | nA | ||
| RGint | Interno Gate Resistor | Tj=25℃ | 3.8 | Ω | ||
| Cies | Entrada Capacitância | 11.5 | nF | |||
| Coes | Capacitância de saída | Vce=25V,Vce=0V,f=1MHz | 1 | nF | ||
| Cres | Capacitância de transferência reversacitance | 0.4 | nF | |||
| tt(on) | Tempo de atraso de ligar | 139 | ns | |||
| Vcc=600V | ||||||
| t | Tempo de subida na ligação | VoE=±15V | 37 | nS | ||
| d(a) | Tempo de atraso no desligamento | Ic=150A | 192 | nS | ||
| t | Tempo de queda no desligamento | Rg=2.0g | 128 | nS | ||
| Eon | Ligação Perda de comutação | Indutivo Carga | 7.9 | -= | mJ | |
| E₀ff | Comutação de desligamento Perda | Tj=25℃ | 8.4 | mJ | ||
| Isc | Dados de curto-circuito | VcE≤15V,Vcc=600V | 518 | A | ||
| tp≤10μs,Tv=25℃ | ||||||
| Resistência térmica, junção para encapsulamento | Por IGBT | —-- | 0.1 | —-- | K/W | |
| Twop | Temperatura virtual da junçãoture | Durante a comutação | -40 | 150 | ℃ | |
Diodo - Inversor
Valores nominais máximos
Símbolo | Descrição | Condições | Valores | Unidade |
VRRM | Pico reverso repetitivo Tensão | Tv=25℃ | 1200 | V |
lF | Corrente direta contínua em CC |
| 150 | A |
lFRM | Corrente de pico repetitiva do coletor | tp=1ms | 300 | A |
Valores característicos
| Símbolo | Valores | |||||
| Descrição | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | |
| Tensão direta | lr=150A,Vse=0V,Tv=25℃ | 2.5 | V | |||
| VF | l=150A,Vge=0V,Tv=125℃ | 1.9 | —-- | V | ||
| RM | Pico de recuperação reversacorrente | —-- | 42 | A | ||
| Qr | Carga recuperada | l=150A,Vg=600V,Vge=-15V | 3.1 | uC | ||
| Erec | Energia de recuperação reversa | Tj=25℃ | 1.1 | mJ | ||
| Tuop | Temperatura virtual da junçãoture | Durante a comutação | -40 | 150 | ℃ | |
Encapsulamento Contornos (mm)
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
