YZPST-SS044N10AP
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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MOSFET de potência de canal N, super gate trench, 100 V
P/N: YZPST-SS044N10AP
CARACTERÍSTICAS
MOSFET de potência Super TrenchFET®
100% testado em avalanche
Capacidade dv/dt aprimorada
APLICAÇÕES
Chave do lado primário
Outras aplicações
Fonte de alimentação ininterrupta
Pedido do dispositivo Marcação Informações de embalagem | |||
Pedido Número | Encapsulamento | Marcação | Embalagem |
SS044N10AP |
TO-220 | YZPST SS044N10AP |
Tubo |
Absoluto Máximo ClassificaçõesTC = 25ºC, salvo indicação emcontrário | |||
Parâmetro |
Símbolo | Valor |
Unidade |
TO-220 | |||
Tensão dreno-fonte (VGS= 0 V) | VDSS | 100 | V |
Contínua Dreno curreente | ID | 135 | A |
Em pulsos Corrente de dreno (nota 1) | IDM | 520 | A |
Tensão gate-fonte | VGSS | ±20 | V |
Único Avalanche por pulso Energia (nota2) | EAS | 780 | mJ |
Dissipação de potência (TC = 25ºC) | PD | 208 | W |
Junção de operação etemperatura de armazenamento Faixa | TJ, Tstg | -55~+150 | ºC |
Atenção: Esforços maiores que do que os em os “Valores Máximo Absolutos” podem causar danos danos a ao dispositivo. | |||
Térmica Resistência | |||
Parâmetro |
Símbolo | Valor |
Unidade |
TO-220 | |||
Térmica Resistência, junção-carcaça | RthJC | 0.60 | ºC/W |
Térmica Resistência junção-ambiente | RthJA | 62.5 | |
Especificações TJ= 25ºC, salvo indicação em contrário | ||||||
Parâmetro |
Símbolo |
Condições de teste | Valor |
Unidade | ||
Mín. | Típ. | Máx. | ||||
Estático | ||||||
Dreno-fonte Tensão de ruptura | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID = 250µA | 100 | -- | -- | V |
Corrente de dreno com tensão de gate zero Corrente de dreno | IDSS | VDS =100, VGS= 0V, TJ= 25ºC | -- | -- | 1.0 | μA |
Porta-Fonte Fuga | IGSS | VGS= ±20V | -- | -- | ±100 | nA |
Tensão de limiar gate-source | VGS(th) | VDS = 250µA | 2.0 | -- | 4.0 | V |
Resistência ligado-state drain-source (Nota3) | RDS(on) | VGS= 10V, ID =50A | -- | 3.6 | 4.4 | mΩ |
Dinâmico | ||||||
Capacitância de entrada | Ciss |
VGS = 0V, VDS = 50V, f = 1.0MHz | -- | 7300 | -- |
pF |
Capacitância de saída | Coss | -- | 850 | -- | ||
Capacitância de transferência reversa | Crss | -- | 25 | -- | ||
Carga total de gate Carga | Qg |
VDD = 50V, ID = 20A, VGS= 10V | -- | 114 | -- |
nC |
Carga gate-fonte | Qgs | -- | 37 | -- | ||
Carga gate-dreno | Qgd | -- | 26 | -- | ||
Ligação Tempo de atraso | td(on) |
VDD = 50V, ID =50A,VGS= 10V RG =3.0 Ω | -- | 32 | -- |
ns |
Ligação Tempo de subida | tr | -- | 50 | -- | ||
Tempo de atraso no desligamento | td(desligado) | -- | 83 | -- | ||
Queda no desligamento Tempo | tf | -- | 30 | -- | ||
Dreno-fonte corpo Características do diodoticas | ||||||
Contínua corpo Corrente do diodo | IS |
TC = 25 ºC | -- | -- | 135 |
A |
Em pulsos Diodo Corrente direta | ISM | -- | -- | 520 | ||
corpo Tensão do diodo | VSD | TJ= 25ºC, ISD = 50A, VGS= 0 V | -- | 0.9 | 1.2 | V |
Reverso Tempo de recuperação | trr | VGS = 0V,IS = 50A, diF/dt =500A /μs | -- | 75 | -- | ns |
Reverso Carga de recuperação | Qrr | -- | 160 | -- | nC | |
Notas
- RepetitiveClassificação:Largura de pulso limitada por temperatura máxima de junção
- VDD = 50V,RG =25 Ω , Partida TJ= 25 ºC
- Teste de pulso:Pulsolargura ≤ 300μs, Ciclo de trabalho Ciclo ≤ 1%
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
