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COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-S5560-12M
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SCRs S5560 55A
Alta capacidade de tensão 1200V SCR S5560-12M 55A
YZPST-S5560-12M
CARACTERÍSTICAS
Alto desempenho em ciclos térmicos
Capacidade de alta tensão
Capacidade muito alta de corrente de surto
APLICAÇÕES
Retificação de rede 50/60 Hz
Controlo de arranque suave de motores CA
Controle de motor CC
Conversor de potência
Controle de potência CA
Controle de iluminação e temperatura
| ABSOLUTOS MÁXIMOS VALORES | ||||
| Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade | |
| Armazenamento junção temperatura faixa | Tstg | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Operação junção temperatura faixa | Tj | -40~ 125 | ℃ | |
| Tensão repetitiva de pico em estado de bloqueio (T =25℃) | VDRM | 1200/1600 | V | |
| Tensão repetitiva de pico reversa (T =25℃) | VRRM | 1200/1600 | V | |
| Tensão de estado bloqueado de pico de surto não repetitivoidade | VDSM | VDRM +100 | V | |
| Não repetitivo pico reverso tensão | VRSM | VRRM +100 | V | |
| Corrente RMS em condução | TO-3P Isolado. (TC=80℃) | IT(RMS) | 55 | A |
| TO-247 (TC=85℃) | ||||
| Corrente de pico de surto não repetitiva em condução | ITSM | 550 | A | |
| Corrente média em condução (180° ângulo de condução) | IT(AV) | 35 | A | |
| I2valor t para fusão (tp= 10ms) | I2t | 1500 | A2 S | |
| Taxa crítica de de subida de on-de condução corrente do coletor | di/dt | 150 | A/μS | |
| (I =2×IGT, tr ≤ 100 ns) | ||||
| Pico da gate corrente do coletor | IGM | 5 | A | |
| Dissipação média de potência da gate | PG(AV) | 2 | W | |
| Resistências térmicas | ||||
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | |
| TO-3P | 0.65 | |||
| Rth(j-c) | Junção para a caixa (CC) | TO-247 | 0.6 | ℃/W |
| CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (T=25℃ salvo indicação em contrário) | ||||
| Símbolo | Condição de teste | Valor | Unidade | |
| IGT | V = 12V R = 140Ω | MAX. | 60 | mA |
| VGT | MAX. | 1.3 | V | |
| VGD | VD=VDRM Tj= 125℃ | MÍN. | 0.2 | V |
| IL | IG= 1.2IGT | MAX. | 250 | mA |
| IA | IT=50mA | MAX. | 200 | mA |
| dV/dt | VD=2/3VDRM Gate Aberto Tj=125℃ | MÍN. | 1000 | V/μs |
| CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS | ||||
| Símbolo | Parâmetro | Valor(MAX.) | Unidade | |
| VTM | ITM =80A tp=380μs | Tj =25℃ | 1.8 | V |
| IDRM | VD=VDRM VR=VRRM | Tj =25℃ | 20 | μA |
| IRRM | Tj =125℃ | 8 | mA | |
Dados mecânicos do encapsulamento TO-3P
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