YZPST-13005D

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TRANSISTORES DE POTÊNCIA DE SILÍCIO NPN 13005D
●DESCRIÇÃO:
O 13005D é um transistor NPN usado em reatores eletrônicos e lâmpadas eletrônicas de economia de energia. Apresenta as características de baixa perda de comutação, alta confiabilidade, boas características em altas temperaturas, velocidade de comutação adequada, alta tensão de ruptura e baixa corrente de fuga reversa.

YZPST-13005D-1

●VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS

Símbolo	Parâmetro		Valor	Unidade
VCBO	Tensão coletor-base		700	V
VCEO	Tensão coletor-emissor		400	V
VEBO	Tensão emissor-base		9	V
I_C	Corrente contínua do coletor		3	A
Icm	Corrente de pulso do coletor（Tp＜5ms）		6	A
PTOT	Dissipação total a Tcase=25 ℃	TO-126SD	50	W
PTOT	Dissipação total a Tcase=25 ℃	TO-220	75	W
T_j	Temperatura da junção		150	℃
T_stg	Faixa de temperatura de armazenamento		-55—150	℃

●CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TC = 25°C, salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Condição de teste	Valor			Unidade
Símbolo	Parâmetro	Condição de teste	Mín.	Tipo	Máx.	Unidade
ICBO	Corrente de corte do coletor	V_CB= 700 V，IE=0			0.1	mA
ICEO	Corrente de corte da base	V_CE= 400 V，Ic=0			0.1	mA
IEBO	Corrente de corte do emissor	V_EB= 9 V，I_C=0			0.1	mA
VCBO	Tensão de ruptura coletor-base	I_C= 0.1mA	700			V
VCEO	Tensão de ruptura coletor-emissor	I_C= 0.1mA	400			V
VEBO	Tensão de ruptura emissor-base	I_B= 0.1mA	9			V
hFE	Ganho de corrente CC	I_C= 0.5A,V_CE= 5V	15		35
a VCE sat	Tensão de ruptura coletor-base	I_C= 2A,I_B= 0.5A			1	V
a VBE sat	Tensão de saturação base-emissor	I_C= 2A,I_B= 0.5A			1.5	V
ts	Tempo de armazenamento	UI9600，Ic=0.5A	2		7	us
f_T	Frequência de transição	VCE=10V，IC=0.2AF=1MHz	5			MHz
a：Teste de pulso，tp≤300us，δ≤2%