Tiristor de condução reversa de comutação rápida 1300V RCT

Tipo de dispositivo

VDRM

VDSM

SHR400R22

1300

1300

Corrente de fuga de pico repetitiva em estado de bloqueio

I_DRM

35mA

Taxa crítica de aumento da tensão

dV/dt

1000 V/ms

Parâmetro

Símbolo

Mín.

Máx.

Típ.

Unidades

Condições

Valor RMS da corrente em estado ligado

I_TRMS

 630

A

Valor nominal

Corrente média em condução

I_T(AV)

   400

A

Contínuo, monofásico, onda senoidal de meia onda, 180°condução

Surto de um ciclo de pico corrente em estado ligado (não repetitiva)

I_TSM

7200

A

50Hz, onda senoidal-

forma, 180^ocondução, T_j= 115 ^oC

I²tValor limite

I²t

200x10³

(Corrente ligada)

A²s

31x10³

(Corrente reversa)

Tensão de pico em condução

V_TM

3.0

V

I_TM=1250A; T_j= 25^oC

Taxa crítica de subida da

corrente do coletor

di/dt

      100

A/ms

V_D=1/2V_DRM,I_TM=800A f=60H_ZI_GM=1.5A,di_G/dt=1,0A/us,Tj=115℃      

Corrente reversa média

I_R(AV)

     150

A

Contínuo, monofásico, onda senoidal de meia onda, 180°condução

RMCorrente reversa S

I_R(RMS)

235

A

Tensão reversa de pico

V_RM

2.5

V

I_RM=500A, T_j= 25^oC

Surto de um ciclo de picocorrente reversa(não repetitiva)

I_RSM

2500

A

50Hz, onda senoidal-

forma, 180^ocondução, T_j= 115 ^oC

Taxa crítica desubidadetensão de estado desligado comutado 

(dv/dt)_C

200

A/ms

I_TM=2000A,tw=60us,I_RM=1000A, ,V_DM=1/2V_DRM,Largura de pulso 60ms,Tj=115℃,

Parâmetro

Símbolo

Mín.

Máx.

Típ.

Unidades

Condições

Dissipação máxima de potência no gate

P_GM

20

W

t_p= 40 us

Dissipação média de potência da gate

P_G(AV)

4

W

Corrente de pico de gate

I_GM

4

A

Corrente de gate necessária para disparar todas as unidades

I_GT

200

mA

V_D= 6 V;R_L = 6ohms;T_C= 25^oC

Corrente de manutenção

I_A

500

T_j = 25 ^oC;R_L = 6ohms

Tensão de gate necessária para disparar todas as unidades

V_GT

3.0

V

V_D= 6 V;R_L = 6ohms;T_C= 25^oC

Tensão de pico sem disparo

V_GD

0.15

V

T_j= 115 ^oC;V_D=1/2V_DRM