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YZPST-BTA40-600B TG40C60 TRIAC moldado isolado 40 A
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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TRIAC (TIPO ISOLADO)
YZPST-BTA40-600B TG40C60
TG40C/E/D são triacs moldados isolados
adequado para uma ampla gama de aplicações, como
copiadora, forno de micro-ondas, chave de estado sólido,
controle de motor, controle de iluminação e aquecimento
controle.
IT AV 40A
Alta capacidade de surto 400A
Montagem isolada AC2500V
Terminais de aba
Valores máximos
Símbolo | Item | Condições | Máximos | Unidade |
IT RMS | Corrente no estado ligado RMS | Tc | 40 | A |
ITSM | Corrente de surto em estado ligado | Um ciclo, 50 Hz/, pico, não repetitivo | 400 | A |
I2t | I²t | Valor para um ciclo da corrente de surto | 880 | A2S |
PGM | Dissipação de potência de pico do gate |
| 10 | W |
PG AV | Dissipação média de potência do gate |
| 1 | W |
IGM | Corrente de pico do gate |
| 8 | A |
VGM | Tensão de pico da gate |
| 10 | V |
di/dt | Taxa crítica de elevação da corrente em estado ligado | IG=100mA, Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1A/μS | 50 | A/μS |
Tj | Temperatura de junção de operação |
| -25～+125 | ℃ |
Tstg | Temperatura de armazenamento |
| -40～+125 | ℃ |
VISO | Tensão de ruptura de isolamento R.M.S. | C.A. 1 minuto | 2500 | V |
| Torque de montagem M4 | Valor recomendado 1,0 ～1.4（10～14） | 14 | kgf.CM |
Valores máximos
Tj=25, salvo indicação em contrário
Símbolo | Item | Máximos | Unidade | |||
TG40C60 | TG40C80 | TG40C100 | TG40C12 | V | ||
VDRM | Tensão de pico repetitiva em estado bloqueado | 600 | 800 | 1000 | 1200 | V |
Características elétricas
Símbolo | Item | Condições | Máximos | Unidade | |
IDRM | Corrente de pico repetitiva em estado bloqueado, máx. | VD=VDRM, monofásico, meia onda, Tj=125℃ | 5 | mA | |
VTM | Tensão de pico em estado ligado, máx. | Corrente em estado ligado Corrente em estado ligado √2X IT (RMS), medição instantânea | 1.55 | V | |
I GT1 + | 1 | Corrente de disparo do gate, máx. | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 50 | mA |
I GT1 - | 2 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 50 | mA | |
I GT3 + | 3 |
| - | mA | |
I GT3 + | 4 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 50 | mA | |
V GT1+ | 1 | Tensão de disparo do gate, máx. | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 3 | V |
V GT1- | 2 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 3 | V | |
V GT3+ | 3 |
| - | V | |
V GT3- | 4 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 3 |
| |
VGD | Tensão de gate sem disparo, mín. | Tj =25℃, VD=1/2VRRM | 0.2 | V | |
tgt | Tempo de ligação, máx. | IT=(RMS), IG=100mA, VD=1/2VDRM, Tj=25℃, dIG/dt=1A/μS | 10 | V | |
dv/dt | Taxa crítica de subida da tensão em estado ligado, mín. | Tj=25℃, VD=2/3VDRM Onda exponencial. | 500 | V/μS | |
(dv/dt) c | Taxa crítica de subida da tensão em estado desligado na comutação, mín. | Tj=25℃, VD=2/3VDRM di/dtc=15A/μS | 5 | V/μS | |
IA | Corrente de manutenção, típica | Tj =25℃ | 60 | mA | |
Rth(j-c) | Impedância térmica, máx. | Junção para a caixa | 0.9 | ℃/W | |
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
