





YZPST-1A01K170K
O resumo do produto e as principais informações técnicas serão carregados do banco de dados de produtos.
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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YZPST-1A01K170K
MOSFET de potência de carboneto de silício
Modo de realce de canal N
VDS= 1700 V
RDS(on) = 1.0QlDS@25°C = 5.0 A
Características
Capacitivo de alta tensão
Alta tensão de bloqueio com baixa resistência em condução
Comutação de alta velocidade com baixas capacitâncias
Fácil de paralelizar e simples de acionar
Capacitância dreno-gate ultrabaixa
Robustez contra avalanche
Benefícios
Maior eficiência do sistema
Menores requisitos de refrigeração
Maior confiabilidade do sistema
Maior frequência de comutação do sistema
Aplicações
Fontes de alimentação auxiliares
Fontes de alimentação comutada
| Número da peça | Encapsulamento |
| 1A01K170K | TO-247-3 |
Valores máximos permitidos (Tc=25°C, salvo indicação em contrário)

Para mais informações sobreYZPST-1A01K170Kfaça o download do arquivo PDF acima intitulado YZPST-1A01K170K "
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