YZPST-800DDM17

Módulo IGBT de chave dupla

P/N:YZPST-800DDM17

PARÂMETROS-CHAVE

VCES :1700V

VCE(sat)* (típ.): 2,7 V

IC (máx.): 800 A

IC(PK) (máx.): 1600 V

CARACTERÍSTICAS

• Suporta curto-circuito de 10 µs
• Alta capacidade de ciclismo térmico
• Silício Non Punch Through
• Base isolada de AlSiC com substratos de AlN
• Construção livre de chumbo

APLICAÇÕES

• Inversores de alta confiabilidade
• Controladores de motor
• Acionamentos de tração

A linha Powerline de módulos de alta potência inclui configurações de meia ponte, chopper, duplo, simples e chave bidirecional, cobrindo tensões de 1200 V a 6500 V e correntes de até 2400 A.

O 800DDM17 é um módulo IGBT de dupla chave, 1700 V, modo de realce, canal N, transistor bipolar de porta isolada

(IGBT).O IGBT possui uma ampla área de operação segura em polarização reversa (RBSOA), além de suportar curto-circuito por 10 μs.Este dispositivo é otimizado para acionamentos de tração e outras aplicações que exigem alta capacidade de ciclagem térmica.

O módulo incorpora uma base eletricamente isolada e construção de baixa indutância, permitindo que os projetistas otimizem os layouts dos circuitos e utilizem dissipadores aterrados para maior segurança.

VALORES NOMINAIS MÁXIMOS ABSOLUTOS

Esforços acima dos indicados em ‘Valores Máximos Absolutos’ podem causar danos permanentes ao dispositivo.Em condições extremas, como em todos os semicondutores, isso pode incluir ruptura potencialmente perigosa do encapsulamento.Devem sempre ser seguidas as precauções de segurança adequadas.A exposição aos Valores Máximos Absolutos pode afetar a confiabilidade do dispositivo.

Tcase = 25°C, salvo indicação em contrário

EMBALAGEM DETALHES

Todas as dimensões em mm, salvo indicação em contrário.

NÃO REDIMENSIONAR.