YZPST-RGN800C05D5

Gate

dreno

Fonte Kelvin

Fonte

8

1, 2, 3, 4

7

5, 6, 9

Parâmetro

Valor

Unidade

VDS, máx.

800

V

RDS(on), máx. @ VGS = 6 V

480

mΩ

QG, típico @ VDS = 400 V

1.3

nC

ID, pulso

9

A

QOSS @ VDS = 400 V

10.5

nC

Qrr @ VDS = 400 V

0

nC

Parâmetro

Símbolo

Valores

Unidade

Nota/Condição de teste

Tensão dreno-fonte

VDS, máx.

800

V

VGS = 0 V,

Tj = -55 °C a 150 °C

Tensão transitória dreno-fonte 1

VDS, transitória

800

V

VGS = 0 V

Tensão dreno-fonte, pulsada 2

VDS, pulso

750

V

Tj = 25 °C; tempo total < 10 h

Tj = 125 °C; tempo total < 1 h

Corrente contínua, dreno-fonte

ID

5

A

Tc = 25 °C

Corrente pulsada, dreno-fonte 3

ID, pulso

9

A

Tc = 25 °C; VGS = 6 V; tPULSE = 10 µs

Corrente pulsada, dreno-fonte 3

ID, pulso

5

A

Tc = 125 °C; VGS = 6 V; tPULSE = 10 µs

Tensão porta-fonte, contínua 4

VGS

-1.4 a +7

V

Tj = -55 °C a 150 °C

Tensão porta-fonte, pulsada

VGS, pulso

-20 a +10

V

Tj = -55 °C a 150 °C;

tPULSE = 50 ns, f = 100 kHz; dreno aberto

Dissipação de potência

Ptot

40

W

Tc = 25 °C

Temperatura de operação

Tj

-55 a +150

°C

Temperatura de armazenamento

Tstg

-55 a +150

°C

Parâmetro

Símbolo

Valores

Unidade

Nota/Condição de teste

Resistência térmica, junção-ambiente

RthJA 1

72

°C/W

Resistência térmica, junção-cápsula

RthJC

3.05

°C/W

Resistência térmica, junção-ambiente

Tsold

260

°C

MSL3

Parâmetro

Símbolo

Valores

Unidade

Nota/Condição de teste

Mín.

Típ.

Máx.

Tensão de limiar da porta

VGS(th)

1.2

1.7

2.5

V

ID = 5.2 mA; VDS = VGS; Tj = 25 °C

-

1.9

-

ID = 5.2 mA; VDS = VGS; Tj = 150 °C

Corrente de fuga dreno-fonte

IDSS

-

0.2

10

µA

VDS = 700 V; VGS = 0 V; Tj = 25 °C

-

2

-

VDS = 700 V; VGS = 0 V; Tj = 150 °C

Corrente de fuga porta-fonte

IGSS

-

20

-

µA

VGS = 6 V; VDS = 0 V

Resistência no estado ligado dreno-fonte

RDS(on)

-

365

480

mΩ

VGS = 6 V; ID = 2 A; Tj = 25 °C

-

790

-

mΩ

VGS = 6 V; ID = 2 A; Tj = 150 °C

Resistência da porta

RG

-

14

-

Ω

f = 5 MHz; dreno aberto

Parâmetro

Símbolo

Valores

Unidade

Nota/Condição de teste

Mín.

Típ.

Máx.

Capacitância de entrada

Ciss

-

43

-

pF

VGS = 0 V; VDS = 400 V; f = 100 kHz

Capacitância de saída

Coss

-

13

-

pF

VGS = 0 V; VDS = 400 V; f = 100 kHz

Capacitância de transferência reversa

Crss

-

0.1

-

pF

VGS = 0 V; VDS = 400 V; f = 100 kHz

Capacitância efetiva de saída, relacionada à energia 1

Co(er)

-

18

-

pF

VGS = 0 V; VDS = 0 a 400 V

Capacitância efetiva de saída, relacionada ao tempo 2

Co(tr)

-

26

-

pF

VGS = 0 V; VDS = 0 a 400 V

Carga de saída

QOSS

-

10.5

-

nC

VGS = 0 V; VDS = 0 a 400 V

Tempo de atraso na ativação

td(on)

-

2

-

ns

VDS = 400 V; ID = 4 A; L = 318 µH; VGS = 6 V; Ron = 10 Ω; Roff = 2 Ω; Veja a Figura 22

Tempo de atraso no desligamento

td(off)

-

3

-

ns

Tempo de subida

tr

-

5

-

ns

Tempo de descida

tf

-

7

-

ns

Parâmetro

Símbolo

Valores

Unidade

Nota/Condição de teste

Mín.

Típ.

Máx.

Carga de gate

QG

-

1.3

-

nC

VGS = 0 a 6 V; VDS = 400 V; ID = 2 A

Carga gate-source

QGS

-

0.1

-

nC

Carga gate-drain

QGD

-

0.5

-

nC

Tensão de platô do gate

VPlat

-

2.7

-

V

VDS = 400 V; ID = 2 A

Parâmetro

Símbolo

Valores

Unidade

Nota/Condição de teste

Mín.

Típ.

Máx.

Tensão reversa dreno-source

VSD

-

2.8

-

V

VGS = 0 V; IS = 2 A

Corrente pulsada, reversa

IS, pulso

-

-

9

A

VGS = 6 V; tPULSE = 10 µs

Carga de recuperação reversa

Qrr

-

0

-

nC

IS = 2 A; VDS = 400 V

Tempo de recuperação reversa

trr

-

0

-

ns

Corrente de pico de recuperação reversa

Irrm

-

0

-

A