YZPST-RGN150C066

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Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.

CENTRO DE DOCUMENTOS

P/N:YZPST-RGN150C066

FET Super-GaN de 150 V

150 V, 230 A, 3.2 mΩ, FET Super-GaN em WLCSP 3.5x2. 13

Características

Tecnologia HEMT E-mode GaN-on-Silicon

Carga de gate muito baixa

Resistência de condução ultrabaixa Tamanho de encapsulamento muito reduzido

Carga de recuperação reversa zero

Aplicações

Retificação síncrona Áudio Classe D

Conversor CC-CC de alta frequência Estação base de comunicação

Driver de motor

Pino informações

Máximo classificações em Tj = 25 °C, salvo indicação em contrário.

SÍMBOLO	PARÂMETRO	MAX	UNIDADE
VDS	Tensão dreno-fonte (contínua)	150	V
ID	Corrente contínua	60	A
ID	Pulsada (25 °C, TPULSE = 300 µs)	230	A
VGS	Tensão gate-fonte	6	V
VGS	Tensão gate-fonte	-4	V
TJ	Temperatura de operação	-40 a 150	˚C
TSTG	Temperatura de armazenamento	-40 a 150	˚C

Características térmicas

SÍMBOLO	PARÂMETRO	TÍP.	UNIDADE
RθJC	Resistência térmica, junção para encapsulamento	0.3	°C/W
RθJB	Resistência térmica, junção para placa	1.5	°C/W
RθJA	Resistência térmica, junção para ambiente 1	33	°C/W

Elétricas Características em Tj = 25 °C, salvo indicação em contrário.Características estáticas

SÍMBOLO	PARÂMETRO	MÍN	TÍP.	MAX	UNIDADE	CONDIÇÕES DE TESTE
BVDSS	Tensão dreno-fonte	150	-	-	V	VGS = 0 V, ID = 400 µA
IDSS	Fuga dreno-fonte	-	4	28	µA	VGS = 0 V, VDS = 80 V
IGSS	Corrente de fuga direta porta-fonte (25°C)	-	1.2	23	µA	VGS = 5 V
	Corrente de fuga direta porta-fonte (125°C)		0.1	2	mA	VGS = 5 V
	Corrente de fuga reversa porta-fonte	-	0.1	0.5	µA	VGS = -4 V
VGS(TH)	Tensão de limiar da porta	0.8	1.1	2.5	V	VDS = VGS, ID = 9 mA
RDS(on)	Resistência em condução dreno-fonte	-	2.5	3.2	mΩ	VGS = 5 V, ID = 25 A
VSD	Tensão direta fonte-dreno	-	1.5	-	V	IS = 0,5 A, VGS = 0 V

Características dinâmicas

SÍMBOLO	PARÂMETRO	MÍN	TÍP.	MAX	UNIDADE	CONDIÇÕES DE TESTE
CISS	Capacitância de entrada	-	1000	-	pF	VGS = 0 V, VDS = 50 V
COSS	Capacitância de saída	-	460	-		VGS = 0 V, VDS = 50 V
CRSS	Capacitância de transferência reversa	-	8.2	-		VGS = 0 V, VDS = 50 V
COSS(ER)	COSS relacionada à energia	-	700	-		VGS = 0 V, VDS = 0 V a 50 V
COSS(TR)	COSS relacionada ao tempo	-	1020	-		VGS = 0 V, VDS = 0 V a 50 V
RG	Resistência de gate	-	2.2	-	Ω	f = 5 MHz, dreno aberto
QG	Carga total de gate 1	-	9.2	12	nC	VGS = 5 V, VDS = 50 V, ID = 25 A
QGS	Carga porta-fonte	-	1.9	-		VDS = 0 V a 50 V, ID = 25 A
QGD	Carga porta-dreno	-	1.7	-		VDS = 0 V a 50 V, ID = 25 A
QG(TH)	Carga de gate no limiar	-	1.1	-		VDS = 0 V a 50 V, ID = 25 A
QOSS	Carga de saída	-	50	-		VGS = 0 V, VDS = 0 V a 50 V